目錄:上海屹持光電技術(shù)有限公司>>光學(xué)元器件>>材料和鍍膜>> LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制
| 參考價 | ￥1000-￥10000 | /臺 |
參考價：￥1000 ~ ￥10000
更新時間：2025-03-12 11:58:58瀏覽次數(shù)：1221評價
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| 供貨周期 | 兩周 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,電子/電池 |
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GaAs砷化鎵是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導(dǎo)體材料，其電子遷移率高、介電常數(shù)小，能引入深能級雜質(zhì)、電子有效質(zhì)量小，能帶結(jié)構(gòu)特殊，可作外延片。
1、半導(dǎo)體光電子器件結(jié)構(gòu)生長
我們可在GaAs砷化鎵基底上生長高質(zhì)量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜層，適用于不同應(yīng)用。
2、低溫砷化鎵
對于某些應(yīng)用需要快速響應(yīng)裝置，例如光學(xué)探測器、可飽和吸收器 或光電導(dǎo)天線。我們提供低溫外延生長器件，響應(yīng)時間短至1 ps。
我們可提供以下在GaAs襯底上生長的一個或兩個單層的低溫砷化鎵。
低溫砷化鎵基片外延生長定制參數(shù)如下：
砷化鎵晶片直徑：2" 或4"
最大薄膜疊層厚度：5 μm
規(guī)格：
LT-GaAs-50.8：2"（50.8 mm）LT-GaAs晶片
LT-GaAs-100：4"（100 mm）LT-GaAs晶片
LT-InGaAs-100：4"（100 mm）LT-InGaAs晶圓片
LT-GaA-100-C：具有定制金屬結(jié)構(gòu)的4"（100 mm）LT-GaAs晶圓片
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