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            目錄:北京精科智創(chuàng)科技發(fā)展有限公司>>材料電化學(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)備>>壓電阻抗綜合測(cè)試系統(tǒng)>> JKZC-YDZK03AN壓電阻抗綜合測(cè)試系統(tǒng)

            JKZC-YDZK03AN壓電阻抗綜合測(cè)試系統(tǒng)
            • JKZC-YDZK03AN壓電阻抗綜合測(cè)試系統(tǒng)
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            參考價(jià) 面議
            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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            • 品牌 其他品牌
            • 型號(hào)
            • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
            • 產(chǎn)品資料 下載
            • 所在地 北京市
            屬性

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            >

            更新時(shí)間:2025-02-12 15:03:12瀏覽次數(shù):1305評(píng)價(jià)

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            JKZC-YDZK03N壓電阻抗綜合測(cè)試系統(tǒng)是一款多用途的綜合測(cè)試系統(tǒng),即可用于縱向壓電D33測(cè)試,豎向D15,橫向D31等性能測(cè)試,配置了高低溫冷熱臺(tái),進(jìn)行變溫測(cè)試,配置顯微鏡進(jìn)行微觀觀測(cè),也可以用于用于用于鐵電晶體、壓電陶瓷、壓電晶體、超聲波換能器等器件的阻抗分析與測(cè)試,是對(duì)壓電器件和設(shè)備進(jìn)行頻率掃描和阻抗測(cè)量分析的*解決方案,可以快捷方便地測(cè)試壓電器件的各項(xiàng)參數(shù)特性,正反諧振阻抗及壓電

            JKZC-YDZK03AN壓電阻抗綜合測(cè)試系統(tǒng)

            關(guān)鍵詞:壓電系數(shù),阻抗,顯微鏡,高低溫

              

                JKZC-YDZK03N壓電阻抗綜合測(cè)試系統(tǒng)是一款多用途的綜合測(cè)試系統(tǒng),即可用于縱向壓電D33測(cè)試,豎向D15,橫向D31等性能測(cè)試,配置了高低溫冷熱臺(tái),進(jìn)行變溫測(cè)試,配置顯微鏡進(jìn)行微觀觀測(cè),也可以用于用于用于鐵電晶體、壓電陶瓷、壓電晶體、超聲波換能器等器件的阻抗分析與測(cè)試,是對(duì)壓電器件和設(shè)備進(jìn)行頻率掃描和阻抗測(cè)量分析的*解決方案,可以快捷方便地測(cè)試壓電器件的各項(xiàng)參數(shù)特性,正反諧振阻抗及壓電材料的電容等相關(guān)系數(shù),是研究壓電材料和阻抗分析的綜合設(shè)備,是科研的重要輔助設(shè)備。

            一、產(chǎn)品應(yīng)用范圍:

            1.壓電材料器件科學(xué)研究

            2.壓電材料的用于評(píng)定壓電陶瓷片性能優(yōu)劣

            3.壓電材料阻抗分析

            4.其他介質(zhì)材料: 塑料、陶瓷和其它材料的介電常數(shù)和損耗角評(píng)估

            磁性材料:鐵氧體、非晶體和其它磁性材料的導(dǎo)磁率和損耗角評(píng)估

            半導(dǎo)體材料:半導(dǎo)體材料的介電常數(shù)、導(dǎo)電率和C-V特性

            液晶單元:介電常數(shù)、彈性常數(shù)等C-V特性

            5.  導(dǎo)體材料:半導(dǎo)體材料的介電常數(shù)、導(dǎo)電率和C-V特性

            半導(dǎo)體元件:LED驅(qū)動(dòng)集成電路寄生參數(shù)測(cè)試分析;變?nèi)荻O管的C-VDC特性; 晶體管或集成電路的寄生參數(shù)分析

            二、主要技術(shù)參數(shù):

            頻率:10HZ-30MHZ

            測(cè)試電平:AC: AC電壓:5mV - 2Vrms ,分辨率:1mV, DC:±40V,分辨率:1mV

            測(cè)試參數(shù):Cp/CsLp/Ls、Rp/Rs|Z|、|Y|、R、X、GB、θ、D、Q、VacIac、RdcVdc、Idc

            顯微鏡:630萬(wàn)像素,偏光觀察模式

            薄膜平臺(tái):30*30MM樣品臺(tái),探針連接

            ×1擋:102000pC/N,20 4000pC/N,可以升級(jí)到10000PC/N.

            ×0.1擋: 1200pC/N400pC/N。

            可以配套PZT-JH10/4/8/12型壓電極化裝置使用

            可以配套ZJ-D33-YP15壓電壓片機(jī)使用

            誤差:×1擋:±2%±1個(gè)數(shù)字,當(dāng)d331004000pC/N;

            計(jì)量標(biāo)定標(biāo)準(zhǔn)樣尺寸:18mm*0.8mm,老化時(shí)間:2-3年(評(píng)判壓電測(cè)試儀準(zhǔn)確性能的重要依據(jù)之一)

            提供壓電薄膜標(biāo)準(zhǔn)片:20*20MM

            電壓保護(hù):放電保護(hù)功能 

            ±5%±1個(gè)數(shù)字,當(dāng)d3310200pC/N;

            ×0.1擋:±2%±1個(gè)數(shù)字,(當(dāng)d3310200pC/N)

            ±5%±1個(gè)數(shù)字,當(dāng)d331020pC/N。

            分辨率:   ×1擋:1 pC/N;×0.1擋:0.1 pC/N。

            尺寸:施力裝置:Φ110×140mm;儀器本體:240×200×80mm。



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