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            上海進(jìn)佳科學(xué)儀器有限公司
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            Horiba直接注入式汽化器VC-1420
            • Horiba直接注入式汽化器VC-1420

            貨物所在地:上海上海市

            更新時間:2025-03-06 21:26:45

            瀏覽次數(shù):35

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            Horiba直接注入式汽化器VC-1420能夠在無載氣的情況下快速汽化純水或其他液體源,組建更緊湊的汽化系統(tǒng)。
            在測試工藝過程中控制氣體比例和濕度平衡相當(dāng)困難,可以通過以下產(chǎn)品達(dá)到準(zhǔn)確的氣體平衡和氣體濕度:氣體 MFC(SEC-Z512MGX、N112MGX、)、液體 MFM(LF-F20M-A)、汽化器(MV-2000)。

            Horiba直接注入式汽化器VC-1420

            直接液體注入系統(tǒng)

            在半導(dǎo)體測試工藝過程中控制氣體比例和濕度平衡相當(dāng)困難,可以通過以下產(chǎn)品達(dá)到準(zhǔn)確的氣體平衡和氣體濕度:氣體 MFC(SEC-Z512MGX、N112MGX、)、液體 MFM(LF-F20M-A)、汽化器(MV-2000)。


            Horiba直接注入汽化器VC-1420能夠在無載氣的情況下快速汽化純水或其他液體源,組建更緊湊的汽化系統(tǒng)。

            HORIBA 可為您提供由 Horiba直接注入式汽化器VC-1420和您需要的所有其他組件組成的定制汽化系統(tǒng):

            · 一種用于流量測量的液體質(zhì)量流量計

            · 一種用于蒸氣流量測量的高溫質(zhì)量流量控制器

            · 閥門、過濾器、加熱器等

            特征

            · 尺寸緊湊

            · 可安裝在各種位置

            · 暢銷的 TEOS 汽化系統(tǒng)

            · 結(jié)合 SEF 或 LF,可實現(xiàn)數(shù)字控制

            · 無需特殊鼓泡罐或汽化罐

            · DeviceNetTM 型產(chǎn)品系列

            · 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)


            技術(shù)參數(shù)

            Horiba直接注入式汽化器VC-1420


            外形尺寸圖

            Horiba直接注入式汽化器VC-1420

            HORIBA 是高性能汽化系統(tǒng)的供應(yīng)商之一。HORIBA 液體源汽化器貫穿整個半導(dǎo)體制程,可以安全有效地將液相化學(xué)品以氣相形態(tài)輸送至使用點。無論液態(tài)化學(xué)品是需要在真空下還是大氣壓下汽化,HORIBA 的汽化技術(shù)都能提供符合要求的汽化系統(tǒng)。包括:汽化器VC系列、汽化器MV系列、汽化器VE系列。

            暢銷型號:VC-1420、MV-1000、MV-2000、VE-10、VE-30.


            汽化器注入式方法

            以下是將液體源氣化并輸送入反應(yīng)腔的主要步驟。

            1.測定液體源的流量,并通過反饋電路,控制閥門開度。

            2.液體瞬間全部氣化。

            3.氣體被釋放,且不會變回液相狀態(tài)。

            氣化系統(tǒng)采用注入式的方法繼而按以上1,2,3步進(jìn)行傳輸。

            汽化器VC-1420采用內(nèi)置質(zhì)量流量計測量液體流量,因此不再需要其他載氣。


            汽化器VC與其他設(shè)備組合使用


            汽化器MI-1000、汽化器MV-2000需要配置液體流量計LF-A、載氣流量控制器SEC,來實現(xiàn)液體源汽化。



            金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)

            先進(jìn)的高精度過程控制儀器用于高產(chǎn)量 MOCVD 應(yīng)用

            電力電子領(lǐng)域的許多行業(yè)使用金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)作為激光二極管、LED和半導(dǎo)體制造的標(biāo)準(zhǔn)工藝。MOCVD工藝是一種成熟的可控合成方法,它使用了多種MO源,如三甲基銦(TMI)和二乙基鋅(DEZ),需要一種穩(wěn)健的傳遞方法,以確保沉積過程的重復(fù)性和高收率。MOCVD系統(tǒng)利用起泡器汽化,從而控制MO源濃度、生長時間和生長速率。部分MO源用載氣流帶出源瓶,并從起泡器流向腔室。在這個過程中捕獲的MO源的濃度必須是已知的,而且最重要的是必須具有重復(fù)性,以提供最大的工藝效率。實現(xiàn)這一目標(biāo)需要精確、快速和理想的過程變量的閉環(huán)控制,包括氣體流量、溫度和壓力。







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