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            IONOPTIKA C60-20S 離子源系統(tǒng)

            參  考  價面議
            具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

            產(chǎn)品型號

            品       牌IONOPTIKA

            廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

            所  在  地上海市

            更新時間:2024-11-05 12:34:56瀏覽次數(shù):139次

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            產(chǎn)地類別 進口 價格區(qū)間 面議
            儀器種類 四極桿質(zhì)譜 應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,食品/農(nóng)產(chǎn)品,化工,生物產(chǎn)業(yè),制藥/生物制藥
            IONOPTIKA C60-20S 離子源系統(tǒng)
            C60-20S是一種高性能離子束,設(shè)計用于濺射表面,具有較小的損傷和減少的沿周濺射效應(yīng)。
            C60-20S在高達20 kV的電壓下工作,可有效地濺射材料,且損傷較小,無需重新沉積碳。
            C60是XPS、AES和SIMS的理想升級組件,可在多種材料上均勻濺射。

            IONOPTIKA C60-20S 離子源系統(tǒng)


            產(chǎn)品特點

            雖然所有離子束都會濺射或蝕刻,但我們的一些系統(tǒng)的表面是專為高效和快速濺射而設(shè)計的。濺射光束有三個特點:高電流、大光斑尺寸和寬視場。這些特性的結(jié)合意味著它們可以在大面積上盡快輸送大劑量的離子,以優(yōu)化蝕刻速率。

            詳細(xì)介紹


            簡介:

            C60-20S是一種高性能離子束,設(shè)計用于濺射表面,具有較小的損傷和減少的沿周濺射效應(yīng)。 

            C60-20S在高達20 kV的電壓下工作,可有效地濺射材料,且損傷較小,無需重新沉積碳。

            C60是XPS、AES和SIMS的理想升級組件,可在多種材料上均勻濺射。

            主要參數(shù):

            • 主要應(yīng)用                濺射                
              光斑尺寸                100 µm                
              掃描范圍                4 x 4 mm                
              能耗范圍                5 – 20 kV                
              電流范圍                50 nA                
              法蘭至機頭長度                142 mm                
              推薦工作距離                50 mm                
              電源裝置                3U x 19’’ rack mountable unit    
              電源要求                110-240VAC 13A 50/60Hz                
              軟件要求                        PC running Windows 10 or later                   
              集成法蘭規(guī)格                NW 63 CF                

















            特點:  

            ◇  電流密度高,蝕刻速度更快;

            ◇  與單原子束相比,可減少化學(xué)損傷;

            ◇  不同材料和晶體取向的濺射率一致;

            ◇  閘閥,便于快速維修;

            ◇  源壽命長;


            應(yīng)用領(lǐng)域: 

            ◇  聚合物的高速、低化學(xué)損傷蝕刻;

            ◇  C60離子濺射的速度比單原子束(包括氬和氙)快50倍,同時 對底層材料造成的損害要小得多;

            ◇  下圖比較了15kevC60濺射產(chǎn)率與15kev金、氙鎵和氬的TRIM數(shù)據(jù)。在相反例子中,用C60和單原子氬離子束濺射清洗PTFE薄膜;

            ◇  雖然兩種離子束都去除了表面污染,但只有C60離子束的表 面化學(xué)性質(zhì)沒有發(fā)生變化; 

            •                


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