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| 產地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 綜合 |
PHI X-tool 飛行時間二次離子質譜儀
一束高能初級離子轟擊樣品表面激發(fā)出原子和分子碎片
只一小部分激發(fā)出的粒子以離子的狀態(tài)離開表面，被質量分析器探測出來
對于無機材料, 原子離子百分含量> 10%
產品介紹：
一束高能初級離子轟擊樣品表面激發(fā)出原子和分子碎片
只一小部分激發(fā)出的粒子以離子的狀態(tài)離開表面，被質量分析器探測出來
對于無機材料, 原子離子百分含量> 10%
Excitation Process激發(fā)過程
離子產生和表面靈敏度
一束高能初級離子轟擊樣品表面激發(fā)出原子和分子碎片
只一小部分激發(fā)出的粒子以離子的狀態(tài)離開表面，被質量分析器探測出來
對于無機材料, 原子離子百分含量> 10%
對于有機材料，原子和分子離子碎片百分含量可以從 .001% 到 1%
只從表面2個分子層激發(fā)出的粒子可以以離子態(tài)離開表面
TOF-SIMS 主要功能
采集離子質譜圖用于表面元素（原子離子），同位素，分子化學結構（通過分子離子碎片）的表征
點或面掃描（2D成像）得到成分分布像，觀察不同成分在同一條線或面的分布情況
深度剖析和3D成像可以分析不同的膜層結構和成分深度分布信息：多層膜層結構表征，成分摻雜深度，擴散，吸附等表征
應用實例：
所有元素探測– H, He, Li, etc. （H~U)
同位素的探測 – 2H, 3H, He, Li, 18O, 13C, etc.
詳細的分子信息 – 有機和無機
分子成像
平行探測–圖像中每一像素點都有對應的全質譜
表面靈敏 – 樣品表面 1-3 個原子 /分子層
痕量分析靈敏度高 – 0.1 到 1 ppm 原子濃度
快速數據采集 – 通常 1 – 15 分鐘 (表面 IMS)
高空間分辨率
< 70 nm （成像模式下）
< 0.5 µm （保持較好質量分辨率下）
表面物理形貌信息
離子擊發(fā)出的 SEI （二次電子像） < 60 nm
大的立體接收角 ~ 180o
可分析所有材料 – 導體，半導體和絕緣材料
技術參數：
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