聲波發(fā)生器，是種將市電轉(zhuǎn)換為換能器相應(yīng)的頻交電以驅(qū)動換能器行作的設(shè)備，是大率聲波系統(tǒng)的重要構(gòu)成分，也可將其稱為電子箱、聲波驅(qū)動電源、聲波控制器。
優(yōu)點
聲波發(fā)生器能監(jiān)控大率聲波系統(tǒng)的作頻率、率。
能夠根據(jù)用戶不同要求，實時調(diào)整各種參數(shù):如率、振幅、運行時間等。
頻率微調(diào):調(diào)整頻率使聲波換能器始終作在狀態(tài)下，效率達(dá)到大，調(diào)整范圍2%。
自動跟頻:設(shè)備旦成初始設(shè)置后，就可以連續(xù)作業(yè)而對發(fā)生器行調(diào)節(jié)。
振幅控制:換能器作過程中負(fù)載發(fā)生變化時，能自動調(diào)整驅(qū)動性，確保具頭得到穩(wěn)定的振幅。
系統(tǒng)保護(hù):系統(tǒng)在不適宜的操作環(huán)境下作時，發(fā)生器將停止作并報警顯示，保護(hù)設(shè)備不受損壞。
振幅調(diào)整:振幅可在作過程中瞬間增加或減少，振幅的設(shè)置范圍:0%~。
自動搜頻:可以自動測定具頭的作頻率并儲存。
(1)閉態(tài)飽和損耗
由(1.101)式可知.晶體管飽和壓降愈大則效率越低。理論和實驗可以說明，隨著頻率的升和率加大，飽和壓降將迅速增大，為了減小飽和損耗，選用fT的晶體管。般來說，對小率管(<10W)，f≥0.1fT，對于大率管(>10W) f ≥0.01fT時才需考慮飽和壓降的影響。
因為這時飽和壓降隨頻率急劇增大，在大率時由于電的增加飽和壓降也大大上升，因此D類放大器的效率在這些頻率和電下將急劇下降。
(2)開關(guān)過程引起的過渡損耗。
過渡損耗是由過渡瞬變過程的時間來確定，它取決于晶體管電或電壓的上升和下降時間及基和集電的電荷存儲效應(yīng)。在晶體管電或電壓上升和下降時間內(nèi)，晶體管處于有源狀態(tài)，要消耗定率。此外接通延遲時間td(由晶體管基電容和其他電路電容的充電時間決定)和晶體管開關(guān)從飽和入有源狀態(tài)時，從基區(qū)和集電抽出過量電荷的存儲時間ts也要增大過渡損耗。延遲時間td和存儲時間ts，不僅延長晶體管的開關(guān)過渡過程，而且要產(chǎn)生電和電壓瞬變，會使晶體管由于二次擊穿或雪崩效應(yīng)而損壞。
如果晶體管存儲時間大于接通延遲時間，兩個晶體管將同時處于閉態(tài)。大的瞬間集電電將通過低阻通路從集電電源到地。不僅要降低放大器的效率，而且要使器件的可靠性降低，因為在的集射電壓下，過大的集電電要使器件由于二次擊穿而損壞。這種瞬態(tài)的集電電尖峰可以用附加基射間的電容，增大器件接通延遲時間，限止兩個晶體管都處于"閉態(tài)"的時間間隔來減弱。
ib的負(fù)脈沖愈大，持續(xù)時間愈長，ts愈長，td主要取決于集電電荷的存儲。隨著作頻率的上升，晶體管的電荷存儲效應(yīng)愈顯著，嚴(yán)重時可使兩管同時導(dǎo)通，出現(xiàn)危險的雪崩，使晶體管損壞。集電電荷存儲時間是隨著集電電的增加而增大，集電電又隨基電增加而增大，基電又隨激勵信號的加大而增大。因此選擇開關(guān)性好，ft且率滿足要求的晶體管，激勵，對于提D類率放大器的效率是的。
