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詳細(xì)介紹
USM36;USM36 DAC;USM36 S美國GE超聲探傷儀
超聲波探傷儀USM 36
USM36;USM36 DAC;USM36 S京海興樂科技（北京）有限公司提供探傷儀USM36;USM36 DAC;USM36 S儀器維修，USM36;USM36 DAC;USM36 S產(chǎn)品計(jì)量，USM36;USM36 DAC;USM36 S技術(shù)培訓(xùn)，產(chǎn)品說明書,產(chǎn)品配件等。；服務(wù)范圍： 船舶及船用產(chǎn)品的超聲探傷-UT；磁粉探傷-MT；滲透檢測(PT)、射線探傷-RT、渦流探傷-ET等產(chǎn)品。(奧林巴斯/汕超/美國GE/達(dá)高特/中科漢威/友聯(lián)/聲納/)配件：相控陣探頭，直探頭，斜探頭，連接線，探頭線，保護(hù)膜，試塊，耦合劑，雙晶探頭，表面波探頭，小徑管探頭，小角度探頭，水浸探頭，非金屬探頭，可拆式探頭，可變角度探頭，窄脈沖探頭、測厚探頭、高溫耦合劑及超聲探傷-UT；磁粉探傷-MT；滲透檢測(PT)、射線探傷-RT、渦流探傷-ET等產(chǎn)品。
應(yīng)用：
USM 36超聲波探傷儀已發(fā)展成為業(yè)界經(jīng)典的A類超聲波探傷儀，是GEUSM系列超聲波探傷儀中*的一款產(chǎn)品，廣泛用于電力和石化工業(yè)的焊縫檢測、腐蝕測量；汽車工業(yè)、金屬工業(yè)的鑄件、鍛件檢測和厚度量測；以及航天工業(yè)的特殊材料檢。
電力和石化工業(yè)的焊縫檢測
直觀的工作界面和7吋超高亮度彩色屏幕，使得在焊縫檢測時(shí)更容易判別缺陷：
?閘門和曲線以不同顏色來區(qū)分；
?警示和訊息以紅色來顯示；
?A-掃描可以不同顏色顯示，以便做比較；
?用顏色顯示所有相關(guān)瑕疵位置的參數(shù)，包含聲波路徑、表面距離、深度位置和跨距編號(hào)(leg number)；
?GE的斜束檢測跨距彩色編碼顯示功能。
在汽車工業(yè)領(lǐng)域之精確厚度測量
USM 36超聲波探傷儀提供精確的厚度測量，即使在聲波路徑不同的情況下，也可由回波序列中得到精確的峰值。
電力和石化工業(yè)的腐蝕測量
腐蝕量測可以利用雙晶探頭檢測，USM 36超聲波探傷儀提供屏幕同時(shí)顯示厚度值和A-掃描波形，保證厚度量測的可靠性。
最小的捕捉模式:可在連續(xù)掃描結(jié)束后提供最薄的量測讀值。
自動(dòng)凍結(jié)功能:可以有效減少探頭與工件接觸時(shí)間，可用于結(jié)構(gòu)與高溫零件表面量測。
鍛件的檢測
USM 36超聲波探傷儀的幻像波偵測技術(shù)是使用于檢測細(xì)晶結(jié)構(gòu)材料的和長形工件時(shí)，以確保對缺陷的檢測不受幻像波影響。
特殊材料的檢測
強(qiáng)力的方波脈沖發(fā)射器為USM 36超聲波探傷儀選配功能之一，即使在嚴(yán)峻材料中亦可提供優(yōu)異的穿透性。例如航天工業(yè)和汽車工業(yè)中經(jīng)常使用的材料。
特點(diǎn)：
USM 36超聲波探傷儀具有同等級產(chǎn)品中最大的A-掃描屏幕：7吋大屏幕，搭配800 x480像素的分辨率。整個(gè)屏幕范圍皆可以作為A-掃描顯示區(qū)域，可以清楚地檢視和準(zhǔn)確地分析檢測訊號(hào)，有效緩解因長時(shí)間作業(yè)所導(dǎo)致的眼睛疲勞。背光調(diào)節(jié)功能可以確保在明亮的陽光下圖形依然清晰可見。
操作更簡單，更有效率：USM 36超聲波探傷儀承襲了前幾代USM系列產(chǎn)品令人熟悉的旋鈕設(shè)計(jì)，但將功能鍵簡化成6個(gè)，操作起來更直觀、簡單，保持高效；檢測設(shè)定非常容易，尤其對于熟悉GE產(chǎn)品的技術(shù)人員，更可以直接上手，免去閱讀使用說明書的繁瑣。其設(shè)定值也可直接由儀器接口傳輸，并且保持與USM同系列產(chǎn)品的接口共通性。
彈性的數(shù)據(jù)報(bào)告和儲(chǔ)存：USM 36超聲波探傷儀的數(shù)據(jù)報(bào)告還可配有A-掃描的截圖和錄像功能，并可以記錄下來以供后期分析或提供檢測的憑證。所有數(shù)據(jù)皆儲(chǔ)存在可更換的SD卡中，且報(bào)告可以jpeg和BMP格式呈現(xiàn)。
方便的數(shù)據(jù)共享：數(shù)據(jù)不僅可儲(chǔ)存在SD記憶卡或USB中，用于備份或分享。還配有VGA連接插座，以供連接外部顯示器或投影機(jī)顯示，方便檢視或教學(xué)等應(yīng)用。
可在嚴(yán)酷的環(huán)境中使用：USM 36超聲波探傷儀具有充分的防護(hù)能力，防塵和防水等級達(dá)IP65設(shè)計(jì)?？?/p>
在環(huán)境溫度-10°C至+55°C間使用，可以使用于沙漠、冰原和潮濕熱帶環(huán)境。如此全面的超聲波探傷儀重量僅有2.2公斤，并且在充滿電的情況可連續(xù)工作超過13小時(shí)。
選型：
以下3種機(jī)型都可選擇LEMO 01或BNC探頭接口，儀器基本配置包括主機(jī)、鋰電池、外置電源、SD卡、說明書、儀器箱。主要功能區(qū)別如下：
USM36 一款基本型超聲波探傷儀
USM36 DAC 包含DAC/TCG、AWS、SWP
USM36 S 包含DAC/TCG, AWS, SWP, DGS, PPRF, BEA, 3G
低配的USM36可選配功能：
AWS | AWS校正工具，根據(jù)AWS D1.1結(jié)構(gòu)焊道碼 |
DAC JISDAC CNDAC DAC | 校正工具，16點(diǎn)，根據(jù)EN1712，EN 1713，EN 1714，ASTME164，ASME，ASME III，JIS Z3060，GB11345 TCG: 120 dB動(dòng)態(tài)，110 dB/μs斜率 |
DGS | DGS校正工具，根據(jù)EN 1712, EN1713,EN 1714, ASTM E164 |
數(shù)據(jù)紀(jì)錄器 | 網(wǎng)格文件格式 |
3G | 增加第3個(gè)監(jiān)視閘-監(jiān)視閘C |
SWP | 方波脈沖產(chǎn)生器 為優(yōu)化脈沖發(fā)射器的參數(shù)，電壓設(shè)定在120~300V，每一刻度為10V，脈沖寬度設(shè)定為30~500 ns，每一刻度為10 ns |
Phantom-PRF | 幻影回波-脈波反復(fù)率用于識(shí)別在低衰減材料中多反射引起的錯(cuò)誤回波 |
BEA | 背面回波衰減器 |
超聲波探傷儀USM36參數(shù)
通用參數(shù)
規(guī)范 | 根據(jù)EN 12668規(guī)范，在標(biāo)準(zhǔn)包裝中之產(chǎn)品光盤上可以找到您儀器的EN12668相關(guān)規(guī)格 |
電池 | 鋰離子電池，充飽可連續(xù)使用13小時(shí)/充電方法(標(biāo)準(zhǔn))：內(nèi)部充電，搭配充電器/充電方法(選配)：外部充電器/充電顯示：比例電位指示器 |
電源 | 外置電源 |
設(shè)備尺寸 | (W×H×D) 255×177×100mm |
設(shè)備重量 | 2.2公斤(含電池) |
語言 | 保加利亞語,中文,捷克語,荷蘭語,英文,法文,德語,匈牙利語,意大利文,日文,挪威語,波蘭語,葡萄牙語,羅馬尼亞語,俄文,西班牙語,瑞典語 |
適合濕度和溫度 | EN60068 Part 2-30(儲(chǔ)存) 6個(gè)周期: 9小時(shí)+25°C，3小時(shí)內(nèi)升至+55°C;9小時(shí)+55°C，3小時(shí)內(nèi)降至+25°C，93%濕度 |
震動(dòng) | EN60068 Part 2-6 2g per axis, 5-150 Hz, 1oct/min, 25 cycles |
沖擊 | EN60068 Part 2-27 1000 cycles per axis, 15g, 11 ms, half-sine |
Enclosure | IP66依據(jù)IEC 60529規(guī)范 |
操作溫度 | –10~55°C |
低溫作業(yè) | –10°C，16小時(shí)，502.5程序II |
高溫作業(yè) | +55°C，16小時(shí)，501.5程序II |
儲(chǔ)存溫度 | –20—+60°C，不含電池 |
低溫儲(chǔ)存 | –20°C，72小時(shí)，502.5程序I |
高溫儲(chǔ)存 | +70°C，48小時(shí)，501.5程序I |
屏幕參數(shù)
使用范圍 | 152mm×91mm |
分辨率 | 800×480像素 |
范圍 | 4-14,108mm，就縱波而言 |
延遲 | –15~3,500μs |
探頭延遲 | 0~1,000μs |
音速 | 250~16,000m/s |
脈波反復(fù)率 | 自動(dòng)優(yōu)化15~2,000Hz,三種自動(dòng)設(shè)定模式：自動(dòng)低、自動(dòng)中等、自動(dòng)高、和手動(dòng)模式 |
連接器參數(shù)
探頭接口 | 2×LEMO-1或2×BNC |
USB接口 | USBtype B連接插座 |
維修界面 | LEMO-1B,8 pin |
脈沖發(fā)生器
脈沖模式 | Spikepulser，選購:方波脈沖 |
脈沖電壓 | 120~300V，每刻度為10 V，誤差10%(SQ模式) |
脈沖下降上升時(shí)間 | 最大10 ns |
脈沖寬度 | 30~500ns，每刻度為10 ns(SQ模式) |
脈沖強(qiáng)度 | 低: 120 V，高:300 V(Spike mode) |
脈沖能量 | 最低: 30 nS，最高:100 nS(Spike mode) |
阻尼 | 50Ω，1,000Ω |
接收器參數(shù)
數(shù)字增益 | 動(dòng)態(tài)范圍110 dB,可調(diào),每0.2dB調(diào)整刻度 |
模擬帶寬 | 0.5~20MHz |
等效輸入噪聲 | <80nV/√Hz |
濾波器 | 帶寬: 1-5 MHz / 2, 2.25 MHz / 4, 5 MHz/ |
整流 | 正半波，負(fù)半波，全波，射頻訊號(hào)(RF) |
監(jiān)視閘參數(shù)
獨(dú)立監(jiān)視閘 | 監(jiān)視閘A和B (由監(jiān)視閘A觸發(fā))監(jiān)視閘C (選配，由監(jiān)視閘A或B觸發(fā)) |
測量模式 | Peak,Flank, J-FLANK, FIRST PEAK |
內(nèi)存參數(shù)
選型
類型15/類型16 | 類型15 | 類型16 |
類型17/類型18 | 類型17 | 類型18 |
A: 30mm | A: 20mm | A: 14mm | A: 14mm | ||
B: 65mm | B: 45mm | B: 17mm | B: 17mm | ||
C: 28.5mm | C: 16.5mm | C: 13mm | C: 7.5mm | ||
D: 10mm | D: 5mm | D: 6.4mm | D: 6.4mm |
系列 | 型號(hào) | 頻率 (MHz) | 焦距 (mm) | 單晶片尺寸 (mm) | 外觀尺寸 | 帶寬 | 接口類型 | 接口方向 |
SEB | SEB 1 | 1 | 20 | Φ21半圓 | 類型15 | 40 | 雙聯(lián) Lemo 00 | 側(cè)裝 |
SEB 1-EN | 1 | 20 | ||||||
SEB 2 | 2 | 15 | 7x18 | |||||
SEB 2-EN | 2 | 15 | ||||||
SEB 2-0° | 2 | 30 | ||||||
SEB 2-EN-0° | 2 | 30 | ||||||
SEB 4 | 4 | 12 | 6x20 | |||||
SEB 4-EN | 4 | 12 | ||||||
SEB 4-0° | 4 | 25 | ||||||
SEB 4-EN-0° | 4 | 25 | ||||||
MSEB | MSEB 2 | 2 | 8 | Φ11半圓 | 類型16 | 40 | ||
MSEB 2-EN | 2 | 8 | ||||||
MSEB 4 | 4 | 10 | 3.5x10 | |||||
MSEB 4-EN | 4 | 10 | ||||||
MSEB 4-EN-0° | 4 | 18 | ||||||
MSEB 4-0° | 4 | 18 | ||||||
MSEB 5 | 5 | 10 | Φ9半圓 | |||||
SEB KF | SEB 2 KF 5 | 2 | 6 | Φ8半圓 | 類型17 | 30-60 | Microdot X2 | |
SEB 4 KF 8 | 4 | 6 | ||||||
SEB 4 KF 8-EN | 4 | 6 | ||||||
SEB 5 KF 3 | 5 | 3 | ||||||
SEB 10 KF 3 | 10 | 3 | Φ5半圓 | 類型18 | ||||
SEB 10 KF 3-EN | 10 | 3 |
MSEB2
MSEB4
SEB2 EN
SEB2
SEB4
卡槽 | SD卡槽，適用所有標(biāo)準(zhǔn)SD記憶卡 |
容量 | 8GB，SD記憶卡 |
數(shù)據(jù)組 | ASCII編碼的UGO數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu) |
檢測報(bào)告 | JPG或BMP格式 |
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