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薄膜生長速率測試儀的特點有哪些？
薄膜生長速率測試儀采用無損的激光技術(shù)實時原位檢測薄膜沉積速率、薄膜厚度以及光學常量（n&k），可廣泛的應用于金屬有機化學氣象沉積MOCVD、分子束外延MBE、濺射系統(tǒng)Sputtering和蒸發(fā)系統(tǒng)等薄膜沉積過程的實時原位監(jiān)控。
薄膜生長速率測試儀的特點：
1、實時薄膜沉積速率、薄膜厚度和光學常數(shù)（n&k）分析，同時標準偏差統(tǒng)計分析
2、自動程序化校準
3、精密的實時反饋系統(tǒng)
4、程序控制，可實時多層薄膜沉積監(jiān)控和控制
5、多Wafer監(jiān)控功能
6、Wafer基底旋轉(zhuǎn)監(jiān)控和控制功能
7、所有參量原位實時檢測
8、操作裝配簡單便捷
薄膜生長速率測試儀的特點：
1、實時薄膜沉積速率、薄膜厚度和光學常數(shù)（n&k）分析，同時標準偏差統(tǒng)計分析
2、自動程序化校準
3、精密的實時反饋系統(tǒng)
4、程序控制，可實時多層薄膜沉積監(jiān)控和控制
5、多Wafer監(jiān)控功能
6、Wafer基底旋轉(zhuǎn)監(jiān)控和控制功能
7、所有參量原位實時檢測
8、操作裝配簡單便捷
