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            界面工程有機(jī)近紅外光電探測(cè)器在成像方面的應(yīng)用

            閱讀:1448        發(fā)布時(shí)間:2023/12/20
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            主要內(nèi)容

            研究團(tuán)隊(duì)報(bào)道了一種高速低暗電流近紅外(NIR)有機(jī)光電探測(cè)器(OPD),該探測(cè)器在硅襯底上以非晶銦鎵氧化鋅(a-IGZO)作為電子傳輸層(ETL)。通過(guò)精細(xì)的表征技術(shù),與溫度相關(guān)的電流-電壓測(cè)量、基于電流的深能級(jí)瞬態(tài)光譜(Q-DLTS)和瞬態(tài)光電壓衰減測(cè)量,可以深入了解暗電流的起源。這些表征結(jié)果與從紫外光電子能譜推導(dǎo)出的能帶結(jié)構(gòu)相輔相成。

            基于陷阱輔助場(chǎng)增強(qiáng)熱發(fā)射(Poole–Frenkel發(fā)射)的暗電流機(jī)制,陷阱態(tài)的存在和激活能對(duì)所施加的反向偏置電壓產(chǎn)生強(qiáng)烈依賴性。通過(guò)在供體:受體共混物和a-IGZO ETL之間引入薄界面層來(lái)顯著減少這種發(fā)射,并在?1 V的反向偏置下獲得低至125 pA/cm2的暗電流。

            由于使用了高遷移率金屬氧化物傳輸層,實(shí)現(xiàn)了639 ns(上升)和1497 ns(下降)的快速光響應(yīng)時(shí)間,這是NIR OPD報(bào)道的最快光響應(yīng)時(shí)間之一。最后,研究團(tuán)隊(duì)展示了一種在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體讀出電路上集成近紅外OPD的成像器,證明了改進(jìn)的暗電流特性在使用該技術(shù)捕獲高質(zhì)量樣本圖像方面的重要性。


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            其中深能級(jí)瞬態(tài)光譜(Q-DLTS和瞬態(tài)光電壓(TPV)是使用巨力光電代理的Paios太陽(yáng)能電池&OLED瞬態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)量的。


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            文獻(xiàn)信息

            Interface-Engineered Organic Near-Infrared Photodetector for Imaging Applications


            Abu Bakar Siddik*Epimitheas Georgitzikis*Yannick HermansJubin KangJoo Hyoung KimVladimir PejovicItai LiebermanPawel E. MalinowskiAndriy KadashchukJan GenoeThierry ConardDavid Cheyns, and Paul Heremans


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