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            目錄:上海波銘科學儀器有限公司>>光電探測器>>硅探測器>> 硅探測器

            硅探測器
            • 硅探測器
            參考價 面議
            具體成交價以合同協(xié)議為準
            參考價 面議
            具體成交價以合同協(xié)議為準
            • 品牌 其他品牌
            • 型號
            • 廠商性質 生產(chǎn)商
            • 所在地 上海市
            屬性

            $NV_PropertyInfoName.SubString(0,25)

            >

            更新時間:2025-01-22 20:14:33瀏覽次數(shù):1625評價

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            硅探測器
            ? 室溫型探測器
            ? 使用范圍:200-1100nm
            ? 兩種型號的探測器室的外觀相同,其中:
            ? DT-Si200型內裝進口紫敏硅光電探測器
            ? DT-Si300型內裝進口藍光增強型硅光電探測器

            硅探測器

            • 室溫型探測器

            • 使用范圍:200-1100nm

            • 兩種型號的探測器室的外觀相同,其中:

            • DT-Si200型內裝進口紫敏硅光電探測器

            • DT-Si300型內裝進口藍光增強型硅光電探測器

            技術指標\型號名稱

            DT-Si200 紫敏硅探測器

            DT-Si300 藍光增強型硅探測器

             

            進口紫外增強型

            進口藍光增強型

            有效接收面積(mm2)

            100(Φ11.28)

            100(Φ11.28)

            波長使用范圍(nm)

            200-1100

            350-1100

            峰值波長(nm),典型值

            820nm

            970nm

            峰值波長響應度(A/W)

            0.52

            0.60(>0.55)

            典型波長的響應度(A/W)

            0.14(>0.09)@254nm

            0.20(>0.15)@410nm

            響應時間(μs)

            5.9

            2

            工作溫度范圍(℃)

            -10~+60

            -10~+60

            儲存溫度范圍(℃)

            -20~+70

            -20~+70

            分流電阻RSH(MΩ)

            10(>5)

            (>10)

            等效噪聲功率NEP(W/√Hz)

            4.5×10-13

            2.0×10-13

            *大操作電流(mA@0V bias)

            0.1

            10.0

            結電容(pf@0V bias)

            4500

            8800

            信號輸出模式

            電流

            電流

            輸出信號極性

            正(P)

            正(P)

             

            硅探測器 

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