CVD系統(tǒng)應用：

CVD是化學氣相沉積的英文簡寫，本公司生產的單溫區(qū)CVD管式爐系統(tǒng)是利用管式爐加熱，把構成固態(tài)沉積物的氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入爐管內，在爐管內使氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學物質在氣相或氣固界面上經化學反應形成固態(tài)沉積物的技術。

CVD系統(tǒng)分類：

CVD技術常常通過反應類型或者壓力來分類，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓CVD(APCVD)，亞常壓CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等離子體增強CVD(PECVD)，高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然后，還有金屬有機物CVD(MOCVD)，根據金屬源的自特性來保證它的分類，這些金屬的典型狀態(tài)是液態(tài)，在導入容器之前必須先將它氣化。

CSK2-12DZ系列單溫區(qū)CVD系統(tǒng)組成：

CVD系統(tǒng)=管式爐+真空抽氣系統(tǒng)+多路供氣系統(tǒng)（或者液態(tài)蒸發(fā)系統(tǒng)）

CSK2-12DZ系列單溫區(qū)CVD系統(tǒng)配置選擇：

管式爐：

SK2-12DZ 管式真空氣氛爐，1200℃，管徑：50—200mm

真空抽氣系統(tǒng)：

LVSE-0.1低真空控制系統(tǒng)

HVSE高真空控制系統(tǒng)

多路供氣系統(tǒng)：

ZDS-X多路質子流量計控制供氣系統(tǒng)

FDS-X多路浮子流量計控制供氣系統(tǒng)

PECVD系統(tǒng)：

PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。

PECVD系統(tǒng)的中文名是等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)。是在CVD的基礎上加一個射頻電源，這個射頻電源通過感應線圈使管式爐爐管內氣體形成等離子體，等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，從而在基片上沉積出所期望的固態(tài)沉積物。PECVD具有比普通CVD沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高、沉積所需的溫度低等優(yōu)點。PECVD是由單溫區(qū)CVD管式爐系統(tǒng)再加一個PE500射頻電源、線圈組成。