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PRB超聲波相控陣試塊NB/T47013.15-2021標準

一、PRB系列試塊：使用與I型在制和在用金屬材料制承壓設備焊接接頭相控陣超聲檢測，當試塊滿足檢測需求時，也可采用NB/T47013.3所述的CSK-IIA系列試塊，使用范圍按NB/T47013.3的規(guī)定執(zhí)行，不適用于內(nèi)徑不大于200mm的管座角接頭檢測。

PRB-I          對接的焊接接頭的厚度范圍            6-30

PRB-II          對接的焊接接頭的厚度范圍            30-120

PRB-III         對接的焊接接頭的厚度范圍            120-150

PRB-IV          對接的焊接接頭的厚度范圍            150-200

二、技術(shù)特征：

1.一種相控陣超聲校準試塊，其特征在于，該試塊包括試塊基體(1)、吸聲材料(3)和多個橫通孔；其中，多個橫通孔水平貫穿試塊基體，多個橫通孔沿試塊基體的橫向間隔設置，并且多個橫通孔(2)的高度均布相同，吸聲材料(3)設置在試塊基體(1)的拐角處。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準試塊，其特征在于，所述試塊基體(1)的材質(zhì)和上下表面的粗糙度與待檢測工件一致。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準試塊，其特征在于，所述橫通孔的高度按照等差數(shù)列依次排布。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準試塊，其特征在于，相鄰兩個橫通孔之間的橫向間距為

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準試塊，其特征在于，所述試塊基體為矩形，吸聲材料(3)呈l型，設置在試塊基體的底部的兩個直角位置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的一種相控陣超聲校準試塊，其特征在于，所述吸聲材料(3)靠近試塊基體的一側(cè)設置有消聲槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種相控陣超聲校準試塊，其特征在于，所述消聲槽為設置在吸聲材料側(cè)壁上的鋸齒槽。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準試塊，其特征在于，所述吸聲材料(3)與試塊基體的聲阻抗相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準試塊，其特征在于，所述試塊基體上設置有用于表示每個橫通孔高度、折射角極小值和和折射角極大值的刻度標識。

10.一種權(quán)利要求1-9任一項所述的一種相控陣超聲校準試塊的校準方法，其特征在于，將相控陣超聲(5)耦合在試塊基體的上表面，并橫向移動找到距離試塊基體的上表面最小的橫通孔(2)在相控陣超聲(5)最小折射角下的最高回波，然后根據(jù)該橫通孔的刻度標識作為輔助快速找到其最高回波；然后根據(jù)上述方法依次掃查不同高度的橫通孔(2)，實現(xiàn)了一次耦合獲得不同高度橫通孔及其對應的不同角度相控陣超聲折射角的測定。

三、技術(shù)總結(jié)

本發(fā)明公開了一種相控陣超聲校準試塊及校準方法，該試塊包括試塊基體、橫通孔、吸聲材料、刻度。其中試塊基體正面為矩形，橫通孔垂直于試塊基體正面，吸聲材料設置在試塊基體的左下角和右上角，刻度在試塊基體的上表面和下表面。本發(fā)明通過將不同深度的橫通孔在橫向錯開設置，實現(xiàn)了在一次耦合中、沿著試塊上表面或下表面橫向掃查便可獲得不同深度、不同折射角的相控陣超聲的橫通孔回波，實現(xiàn)了TCG的有效校準，減少了測量時間，精簡了校準程序；通過在左下角和右上角設置吸聲材料和消聲槽，大大降低了試塊的端角反射回波，使得即使橫通孔離試塊端角較近，端角回波也不會對橫通孔回波造成嚴重干擾；通過在試塊上表面設置刻度，實現(xiàn)了不同深度橫通孔及其對應的不同角度相控陣超聲折射角的探頭耦合位置的快速準確確定。陣超聲折射角的探頭耦合位置的快速準確確定。陣超聲折射角的探頭耦合位置的快速準確確定。RB超聲波相控陣試塊NB/T47013.15-2021標準