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            MST-原位多場(chǎng)耦合樣品桿
            • MST-原位多場(chǎng)耦合樣品桿

            貨物所在地:北京北京市

            地: 北京

            更新時(shí)間:2024-11-16 21:00:07

            瀏覽次數(shù):175

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            PicoFemto系列透射電鏡原位多場(chǎng)耦合樣品桿,結(jié)合TEM+STM+MEMS原位技術(shù),通過(guò)更換不同類型的原位芯片及探針,在透射電鏡中實(shí)現(xiàn)光、電、力、熱多種原位功能。

            PicoFemto 系列透射電子顯微鏡 原位多場(chǎng)耦合樣品桿 是一種革命性的原位透射電子顯微鏡實(shí)驗(yàn)系統(tǒng),借助該系統(tǒng),研究人員可以在透射電子顯微鏡中構(gòu)建一個(gè)可控的多場(chǎng)環(huán)境(包括光、電、力、熱等),從而對(duì)材料或者器件等不同類型樣品實(shí)現(xiàn)多重激勵(lì)下的原位表征。

            具備多種耦合方式:力-熱、力-電、光-電、光-電-力、光-電-力-熱


            技術(shù)指標(biāo)

             

            電學(xué)測(cè)量 加熱控溫
            1.包含一個(gè)電流電壓測(cè)試單元; 1.溫度范圍:室溫至1000℃;
            2.電流測(cè)量范圍:1nA-30mA; 2.溫度準(zhǔn)確度:優(yōu)于5%;
            3.電流分辨率:100fA; 3.控溫穩(wěn)定性:優(yōu)于±0.1℃;
            4.電壓輸出范圍:±10V,±150V; 4..軟件控制,數(shù)據(jù)自動(dòng)保存。
            5.軟件自動(dòng)測(cè)量:I-V、I-t  

            1648731830(1).jpg

            透射電子顯微鏡內(nèi)不同溫度下的原位充放電研究

            In Situ TEM Observations of Discharging/Charging of Solid-State Lithium-Sulfur Batteries at High Temperatures

            doi: 10.1002/smll.202001899

            力學(xué)操縱 光纖指標(biāo)
            1.探針粗細(xì)調(diào)方式:全軟件操控; 1.光纖探針、平頭光纖、光纖透鏡多種方案可選;
            2.粗調(diào)范圍:XY方向2.5mm,Z方向1.5mm; 2.光纖快拆接口:SMA、FC等;
            3.細(xì)調(diào)范圍:XY方向18um,Z方向1.5um; 3.可外接光源;
            4.4.細(xì)調(diào)分辨率:XY方向0.4nm,Z方向0.04nm; 4.可外接光譜儀;

            產(chǎn)品選型


            原位多場(chǎng)耦合樣品桿  具有單傾、雙傾(JEOL)兩個(gè)版本;

            澤攸科技提供適配Thermofisher/FEI(賽默飛)、JEOL(日本電子)、Hitachi(日立)各型號(hào)透射電子顯微鏡及極靴的不同型號(hào)樣品桿,支持定制。

             

            國(guó)內(nèi)部分用戶


             

            北京理工大學(xué).jpg青海大學(xué).jpg廈門大學(xué).jpg上海交通大學(xué).png燕山大學(xué).jpg浙江大學(xué).png

            典型案例

             

            1、加熱芯片+電學(xué)探針------->透射電鏡內(nèi)的原位加熱電學(xué)實(shí)驗(yàn);

            2、加熱芯片+力學(xué)探針------->透射電鏡內(nèi)的原位高溫力學(xué)實(shí)驗(yàn);

            3、電學(xué)芯片+電學(xué)探針------->透射電鏡內(nèi)的三端器件測(cè)量實(shí)驗(yàn);

            4、電學(xué)芯片+光纖單元------->透射電鏡內(nèi)的電制發(fā)光現(xiàn)象研究;

            5、電學(xué)芯片+光纖單元------->透射電鏡內(nèi)的原位光電現(xiàn)象研究。

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