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            北京萊步技術(shù)有限公司>>CVD系統(tǒng)>>雙溫區(qū)>> OTL1200-1200雙溫區(qū)PECVD系統(tǒng)

            OTL1200-1200雙溫區(qū)PECVD系統(tǒng)

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            • OTL1200-1200雙溫區(qū)PECVD系統(tǒng)
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            • 所在地 北京市
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            更新時(shí)間:2022-03-31 13:33:18瀏覽次數(shù):469

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            產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 價(jià)格區(qū)間 面議
            儀器種類 管式爐 應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,化工,石油,電氣
            OTL1200-1200雙溫區(qū)PECVD系統(tǒng)由供氣系統(tǒng)+管式爐+抽氣系統(tǒng),最高溫度可以達(dá)到1200度、1400度、1600度、1700度,加熱區(qū)間可以是單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等,極限真空可以達(dá)到10-3Pa,供氣系統(tǒng)是流量調(diào)節(jié)可以是質(zhì)子流量計(jì)或浮子流量計(jì),混氣路數(shù)可以是2路、3路、4路、5路相混合。

            詳細(xì)介紹

            OTL1200-1200雙溫區(qū)PECVD系統(tǒng),由OTL1200真空管式爐、石英真空室、射頻電源、GX供氣系統(tǒng)、抽氣系統(tǒng)、真空測(cè)量系統(tǒng)組成。  

            OTL1200-1200雙溫區(qū)PECVD系統(tǒng)主要特點(diǎn):  

            1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。  

            2、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低。  

            3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應(yīng)力大小。  

            4、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。  

            5、廣泛應(yīng)用于:各種薄膜的生長,如:SiOx,SiNx,SiOxNy和無定型硅(a-Si:H)等。  

            OTL-PECVD-1200-1200雙溫區(qū)PECVD系統(tǒng)以瑞典Kanthal電阻絲為加熱元件,采用雙層殼體結(jié)構(gòu)和30段程序控溫儀表,移相觸發(fā)、可控硅控制,爐膛采用日本進(jìn)口氧化鋁多晶纖維材料,爐管兩端能不銹鋼法蘭密封,不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表,抽真空時(shí)真空度能夠達(dá)到10-3Pa,具有溫場(chǎng)均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能、*等優(yōu)點(diǎn)。  

            (1)、表面溫度高可達(dá)1420℃  

            (2)、表面為不銹鋼色(非常亮、客戶識(shí)別時(shí)要注意)、不會(huì)生銹,使用時(shí)間再長都不會(huì)掉渣。  

            (3)、Kanthal電阻絲資料下載  

            (4)、Kanthal電阻絲網(wǎng)站

            (5)、電阻均衡、溫場(chǎng)均衡性好  

            當(dāng)電路過流或漏電時(shí),空開會(huì)自動(dòng)斷開。  

            爐配有通訊接口和軟件,可以直接通過電腦控制爐子的各個(gè)參數(shù),并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運(yùn)行情況,爐子的實(shí)際升溫曲線電腦會(huì)實(shí)時(shí)繪出,并能把每個(gè)時(shí)刻的溫度數(shù)據(jù)保存起來,隨時(shí)可以調(diào)出  

            1、真空吸濾成型的優(yōu)質(zhì)高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛。  

            2、采用日本技術(shù)成型。  

            3、爐膛里電阻絲的間距和節(jié)距全部按日本*的熱工技術(shù)布置、經(jīng)過熱工軟件模擬溫場(chǎng)  

            4、采用4周加熱,溫場(chǎng)更加均衡

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