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| 應用領域 | 化工,地礦,電子/電池,航空航天,電氣 | SEEBECK 系數(shù)測量范圍 | （5-1000）uV/K |
|---|---|---|---|
| 電阻測量范圍 | 1uΩ~1MΩ | 電壓測量范圍 | 0-5V |
| 器件電阻測量范圍 | 0.1-100 歐姆 | ZT 值測量范圍 | 1-3 |
| 冷熱端溫差 | 20 度 |
產品簡介
詳細介紹
一、應用場景
熱電材料目前在半導體制冷和溫差發(fā)電等領域得到廣泛應用，本產品 CCM-3-Y 便攜式澤貝殼系數(shù)測量儀可以用于一般熱電材料的 SEEBECK 系數(shù)常溫測量，和半導體制冷片的 ZT 值和電阻值測量，是熱電材料和器件研究生產的重要工具。
樣品塞貝克系數(shù)
平均優(yōu)值系數(shù) Z（1/K）
電阻值測量
物理教學實驗
熱電材料初步篩選
二、功能和原理介紹
2.1 SEEBECK 系數(shù)測試功能（端口 A）
SEEBECK 系數(shù)雙端探筆，集成了冷探針和熱探針。其中熱探針包含銅探針、熱電偶和加熱圈；
測試過程中給 Seebeck 熱探針加熱，使熱探針和冷探針之間始終保持一個固定的溫差 T，同時記錄冷熱探針之間的熱電勢 V，根據(jù)公式即可計算出材料的 Seebeck 系數(shù)值；
圖 2-1 SEEBECK 測試原理圖
圖 2-2 塞貝克測試探筆尺寸圖
2.2 電阻測量功能（端口 B）
該功能通過四線法測量樣品電阻值，避免了探針和樣品接觸電阻的影響；
并且在測試時可以選擇不同的測量模式；
自動模式：測試軟件自動選擇測試電流，最終測試結果為多組電流和電壓值數(shù)據(jù)擬合結果；
手動模式：采用設定電流值測試樣品電阻值；特別針對樣品的 IV 曲線測試功能；測試
過程中電流自動切換方向，以減少測試誤差。
同時該界面具備恒流源輸出和微弱信號采集功能；具體使用方法請參照 4.2 節(jié)。
2.3 半導體制冷片參數(shù)測量（端口 B）
哈曼法測試原理：給樣品通一個恒定的電流值，根據(jù)帕爾帖效應熱電材料會在兩端吸熱
和放熱，并產生一個溫差電壓 Vs。當溫差和熱傳導達到平衡時記錄此時的電壓 Vo，Vo 包含器件電阻的電壓 Vr 和 Vs。接著切斷電流，Vr 同時消失，而 Vs 逐漸減小。記錄此時刻前后電壓變化曲線，使用數(shù)據(jù)分析方法找到 Vr。Vs/Vr 則代表器件的 ZT 值。
圖 3-1 哈曼法測試原理
三、CCM-3-Y 便攜式澤貝殼系數(shù)測量儀參數(shù)表
性能 | 參數(shù) |
SEEBECK 測試參數(shù) | |
樣品種類 | 塊體、薄膜或者是絲狀樣品，長度＞5mm； |
樣品電阻值 | ≤10KΩ； |
SEEBECK 系數(shù)測量范圍 | （5-1000）uV/K |
冷熱端溫差 | 20 度 |
系統(tǒng)配件 | 雙端探筆 |
電阻測量 | |
電阻測量范圍 | 1uΩ~1MΩ |
電阻測量準確性 | ≤1% |
電壓測量范圍 | 0-5V |
電壓測量精度 | 1uV |
恒流源輸出范圍 | 0.1uA-200mA |
恒流源準確性 | ≤1% |
半導體制冷片參數(shù)測量 | |
器件電阻測量范圍 | 0.1-100 歐姆 |
誤差范圍 | 5% |
重復性 | 0.3% |
ZT 值測量范圍 | 1-3 |
誤差范圍 | 3% |
重復性 | 0.4% |
系統(tǒng)配件 | 開爾文夾及引線 |
標準樣品 | 熱電器件 TEC12703 |
設備整體參數(shù) | |
設備供電 | 24V |
電池容量 | 3000mAh |
續(xù)航時間 | ＞8 小時 |
機箱尺寸 | 260*200*120（高） |
設備最大功率 | 5W |