光切換矩陣 參考價(jià)：面議
光切換矩陣采用6組雙工1X3 光開(kāi)關(guān)切換，具有低插損、多模式，切換時(shí)間短、可讀取的特點(diǎn)
SRIO光開(kāi)關(guān)切換矩陣 參考價(jià)：面議
SRIO光開(kāi)關(guān)切換矩陣采用6組雙工1X3 光開(kāi)關(guān)切換，具有低插損、多模式，切換時(shí)間短、可讀取的特點(diǎn)
TSN光開(kāi)關(guān)激勵(lì)矩陣 參考價(jià)：面議
TSN光開(kāi)關(guān)激勵(lì)矩陣采用44對(duì)1X2光開(kāi)關(guān)切換，具有低插損、多模式，切換時(shí)間短、可讀取的特點(diǎn)
A818光開(kāi)關(guān)切換矩陣 參考價(jià)：面議
A818光開(kāi)關(guān)切換矩陣采用12個(gè)1X3光開(kāi)關(guān)切換，具有低插損、多模式，切換時(shí)間短、可讀取的特點(diǎn)
光開(kāi)關(guān)切換矩陣以太網(wǎng)口遠(yuǎn)程控制 參考價(jià)：面議
光開(kāi)關(guān)切換矩陣以太網(wǎng)口遠(yuǎn)程控制采用12個(gè)1X3光開(kāi)關(guān)切換，具有低插損、多模式，切換時(shí)間短、可讀取的特點(diǎn)
SOI芯片偏振控制器-開(kāi)關(guān)陣列 參考價(jià)：9888
SOI芯片偏振控制器-開(kāi)關(guān)陣列具有多通道、高度集成度芯片化、高速響應(yīng)等特點(diǎn)，主要應(yīng)用于光纖傳感、光纖通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域
單片集成 10bit 可調(diào)光延時(shí)器芯片高速切換 參考價(jià)：9888
單片集成 10bit 可調(diào)光延時(shí)器芯片高速切換將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開(kāi)關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延...
SOI高速光開(kāi)關(guān)芯片陣列 參考價(jià)：9998
SSOI高速光開(kāi)關(guān)芯片陣列，該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)高速響應(yīng)的光路切換，實(shí)現(xiàn)了多通道光開(kāi)關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光...
高速SOI芯片光電探測(cè)器陣列 參考價(jià)：9999
高速SOI芯片光電探測(cè)器陣列，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測(cè)器的單片化集成，可片上集成光學(xué)混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關(guān)性小，模擬...
SOI芯片可調(diào)光濾波器 陣列 參考價(jià)：9666
SOI芯片可調(diào)光濾波器 陣列基于硅基熱調(diào)諧微環(huán)結(jié)構(gòu)，光濾波器的中心波長(zhǎng)和隔離度可調(diào)，實(shí)現(xiàn)了多通道光濾波器的單片集成，通過(guò)特殊設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了偏振無(wú)關(guān)特性，光電封裝，數(shù)...
SOI納秒光開(kāi)關(guān)芯片 參考價(jià)：9998
SOI納秒光開(kāi)關(guān)芯片該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)高速響應(yīng)的光路切換，實(shí)現(xiàn)了多通道光開(kāi)關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝，...
硅基光延時(shí)芯片超小尺寸 參考價(jià)：9888
硅基光延時(shí)芯片超小尺寸是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開(kāi)關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，...
高速SOI光電探測(cè)器芯片 參考價(jià)：9999
高速SOI光電探測(cè)器芯片，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測(cè)器的單片化集成，可片上集成光學(xué)混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關(guān)性小，模擬帶寬...
SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光 電探 測(cè) 器陣列 參考價(jià)：9999
SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光 電探 測(cè) 器陣列具有多通道，高集成度芯片化，大模擬帶寬等特性，主要應(yīng)用于光纖傳感，光纖通信，激光雷達(dá)等領(lǐng)域
7bit 光延時(shí)器芯片 參考價(jià)：9888
7bit 光延時(shí)器芯片切換將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開(kāi)關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 ...
SOI芯片式高速光衰減器 參考價(jià)：9998
SOI芯片式高速光衰減器基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)高速響應(yīng)的可調(diào)光路衰減，實(shí)現(xiàn)多通道VOA器件單片化集成，芯片與多通道光纖陣列和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝，數(shù)字...
高精度7bit 光延時(shí)器芯片 參考價(jià)：9888
高精度7bit 光延時(shí)器芯片切換將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開(kāi)關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度...
硅基6 位光延時(shí)芯片 參考價(jià)：9888
硅基6 位光延時(shí)芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開(kāi)關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅...
硅基6 位可調(diào)光延時(shí)芯片 參考價(jià)：9888
硅基6 位可調(diào)光延時(shí)芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開(kāi)關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下...
SOI芯片光延時(shí)線 參考價(jià)：9888
SOI芯片光延時(shí)線 具有多通道、高集成度芯片化、高速響應(yīng)等特點(diǎn)，主要應(yīng)用于光纖傳感、光纖通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域
6 比特硅基光延遲芯片 參考價(jià)：9888
6 比特硅基光延遲芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開(kāi)關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，...
SOI單片集成 9bit 可調(diào)光時(shí)延線芯片 參考價(jià)：9888
SOI單片集成 9bit 可調(diào)光時(shí)延線芯片片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級(jí)時(shí)延回路結(jié)...
硅基單片集成 9bit 可調(diào)光時(shí)延線芯片 參考價(jià)：9888
硅基單片集成 9bit 可調(diào)光時(shí)延線芯片片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級(jí)時(shí)延回路結(jié)構(gòu)...
單片集成 9bit 可調(diào)光延時(shí)線芯片 參考價(jià)：9888
單片集成 9bit 可調(diào)光延時(shí)線芯片片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級(jí)時(shí)延回路結(jié)構(gòu)，芯...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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