目錄:深圳市錫成科學(xué)儀器有限公司>>材料電學(xué)測試>>高溫電阻測量系統(tǒng)>> RMS 1000高溫電阻測量系統(tǒng)
| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 類型 | 其他 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
高溫電阻測量系統(tǒng)
RMS1000S系列高溫半導(dǎo)體材料電阻率測量系統(tǒng)主要用于半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的評估和測試，該系統(tǒng)采用四線電阻法測量原理進(jìn)行設(shè)計(jì)開發(fā)，可以在高溫、真空氣氛的條件下測量半導(dǎo)體材料電阻和電阻率，可以分析被測樣品電阻和電阻率隨溫度、時(shí)間變化的曲線。
目前主要針對圓片、方塊、長條等測試樣品進(jìn)行測試，廣泛用于半導(dǎo)體材料硅(si)、鍺(ge)、化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)三元化合物半導(dǎo)體GaAsAl、GaAsP,固溶體半導(dǎo)體，如Ge-Si、GaAs-GaP等的塊體材料的電阻率測量。
高溫電阻測量系統(tǒng)功能特點(diǎn)
2 針對性質(zhì)不同的材料開發(fā)相應(yīng)的測試系統(tǒng)
2 多種保護(hù)措施，確保測試安全
2 溫度范圍廣：RT～600℃/1000℃
2 可實(shí)現(xiàn)惰性、氧化、還原、真空等多種氣氛測量
2 樣品壓力大0.25N，保證測量過程不損壞樣品
2 上電極半球狀+下電極平板狀設(shè)計(jì)，可以精確定位測量被測樣品某一點(diǎn)
半導(dǎo)體材料-2W法
半導(dǎo)體2W法計(jì)算公式
ρ=RS/L=Vs/IL
ρ =以厘米-歐姆為單位的電阻率
V =加載樣品上的電壓或電壓源輸出電壓
l =表示流過樣品的電流或電流源輸出電流
L =表示樣品的厚度
S =表示樣品橫截面積
型號 | RMS 1000C | RMS 1000S | RMS 1000I | RMS 1000P |
應(yīng)用范圍 | 導(dǎo)電材料 | 半導(dǎo)體材料 | 絕緣材料 | 半導(dǎo)體薄膜/薄片 |
測試方法 | 四線電阻法 | 半導(dǎo)體材料2線法 | 三環(huán)電極法* | 雙電測組合直排4探針法 |
電極材料 | 鉑金電極,碳化鎢探針 | 鉑金電極 | 鉑金電極 | 碳化鎢探針，鉑金探針 |
樣品規(guī)格 | 10mm×10mm×20mm | φ＜20mm,d＜5mm | φ＜25mm,d＜4mm | 薄膜φ15～30mm,d＜4mm |
電阻范圍 | 1nΩ～1GΩ | 0.1mΩ～100MΩ | 100Ω～10PΩ | 0.1mΩ～100MΩ |
電 阻 率 | 0.1nΩ.cm～100MΩ.cm | 1mΩ.cm～10MΩ.cm | 1000Ω.cm～1PΩ.cm | 1mΩ.cm～10MΩ.cm |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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