目錄:深圳市錫成科學(xué)儀器有限公司>>鍍膜/涂膜系統(tǒng)>>原子層沉積鍍膜系統(tǒng)>> Picosun R200原子層沉積系統(tǒng)
| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
|---|
原子層沉積系統(tǒng)
將氣相前驅(qū)體交替脈沖通入反應(yīng)室，并在襯底表面發(fā)生氣/固相化學(xué)吸附反應(yīng)形成薄膜。無論液體、氣體還是固體化學(xué)物，都可以配置獨(dú)立，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度小的薄膜層。
2 表面自限制生長，平整度高，均勻性好。
2 逐層吸附沉積，無針孔，致密性高。
2 三維共形：前驅(qū)體均勻覆蓋襯底材料表面，生成與襯底表面形狀一致的薄膜，適用各種復(fù)雜三維形狀的襯底。
2 附著性高，在化學(xué)吸附作用下，前驅(qū)體和襯底材料緊密粘附在一起。
2 單原子層逐層沉積，厚度精確可控。
原子層沉積系統(tǒng)
型號 | R-200標(biāo)準(zhǔn)型 | R-200高級型 |
襯底尺寸（φ） | 單片：50~200mm 156 mm x 156 mm 太陽能硅片 | 單片：50~200mm 156 mm x 156 mm 太陽能硅片 |
襯底形貌 | 復(fù)雜三維構(gòu)型、平板、多孔、通孔、溝槽、粉末與顆粒 | |
深寬比 | 2500 | 2500 |
溫度 | 50~500℃ | 50~500℃ Plasma：450/650℃ |
溫度精度 | ±1℃ | ±1℃ |
襯底傳送選件 | v 氣動(dòng)升降（手動(dòng)裝載）； v 磁力機(jī)械手裝載（Load lock ）
| v 氣動(dòng)升降（手動(dòng)裝載） v 磁力機(jī)械手裝載（Load lock ） v 半自動(dòng)裝載； v 全自動(dòng)裝載 |
前驅(qū)體 | v 液體、固體、氣體、臭氧源 v 6個(gè)前驅(qū)體源，4個(gè)獨(dú)立源管
| v 液體、固體、氣體、臭氧源、等離子體（最多4路） v 12個(gè)前驅(qū)體源，6個(gè)獨(dú)立源管，（選擇Plasma時(shí)，共7根獨(dú)立源管） |
均勻性（1σ） | 6“和8"晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數(shù)據(jù) - AI2O3 (batch)：0.13% - TiO2：0.28% - HfO2：0.47% - SiO2 (batch)：0.77% - ZnO：0.94% - Ta2O5：1.0% - TiN：1.1% - CeO2：1.52% - Pt：3.41% | |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
員.png)
3
化工儀器網(wǎng)