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日本ULVAC愛發(fā)科半導(dǎo)體間自然氧化蝕刻設(shè)備返回列表頁

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產(chǎn)品型號RISETM-300

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所在地深圳市

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更新時間：2024-11-25 14:41:19瀏覽次數(shù)：207次

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產(chǎn)品分類品牌分類

ULVAC愛發(fā)科: 愛發(fā)科真空泵熱處理設(shè)備凍結(jié)真空干燥裝置真空爐離子注入機蝕刻設(shè)備灰化裝置真空沉積設(shè)備化學(xué)氣相沉積設(shè)備濺射設(shè)備

全部產(chǎn)品列表

產(chǎn)品簡介

價格區(qū)間	面議	應(yīng)用領(lǐng)域	醫(yī)療衛(wèi)生,化工,綜合

日本ULVAC愛發(fā)科RISETM-300半導(dǎo)體間自然氧化蝕刻設(shè)備
日本ULVAC愛發(fā)科半導(dǎo)體間自然氧化蝕刻設(shè)備

詳情介紹

日本ULVAC愛發(fā)科半導(dǎo)體間自然氧化蝕刻設(shè)備

間歇式自然氧化膜去除設(shè)備 RISETM-300

間歇式自然氧化膜去除設(shè)備RISE ^TM -300是一種間歇式預(yù)清洗設(shè)備，可以去除LSI深接觸底部等難處理的自然氧化膜。兼容300mm目標(biāo)晶圓。

特征

實現(xiàn)高吞吐量和低 CoO
良好的蝕刻均勻性（< ±5%/批次）和再現(xiàn)性
干法
無損壞（遠程等離子體和低溫工藝）
與傳統(tǒng)濕法工藝相比，自對準接觸電阻降低至 1/2
設(shè)備布局靈活
強調(diào)可維護性
50 300mm晶圓批量加工

目的

用于形成自對準觸點的預(yù)處理
電容器形成過程中的預(yù)處理
外延生長過程中的預(yù)處理

規(guī)格

模型		RISETM-300
等離子源		微波電源
設(shè)備配置		EFEM + LL + PM
板尺寸		Φ300mm
板臺		陶瓷舟（50只/批）
排氣系統(tǒng)		機械增壓泵+DRP
控制系統(tǒng)		FAPC+TFT觸摸屏
氣體導(dǎo)入系統(tǒng)		3個系統(tǒng)
應(yīng)用		SAC、電容器和外延生長過程中的預(yù)處理

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