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簡(jiǎn)要描述：反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備機(jī)器中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，并具有重復(fù)性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。

簡(jiǎn)要描述：RIE等離子刻蝕機(jī)SI 591：預(yù)真空室和計(jì)算機(jī)控制的等離子體刻蝕工藝條件，使得SI 591 具有優(yōu)異的工藝再現(xiàn)性和等離子體蝕刻工藝靈活性。靈活性、模...

簡(jiǎn)要描述等離子蝕刻機(jī)Etchlab 200根據(jù)其模塊化設(shè)計(jì)，可升級(jí)為更大的真空泵組，預(yù)真空室和更多的氣路。

簡(jiǎn)要描述：等離子刻蝕機(jī)由于離子能量低，離子能量分布帶寬窄，因此可以用我們的等離子體刻蝕機(jī)SI 500進(jìn)行低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)的刻蝕。

簡(jiǎn)要描述：深硅刻蝕機(jī)三螺旋平行板天線(xiàn)(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有...

簡(jiǎn)要描述：反應(yīng)離子刻蝕機(jī)我們的等離子蝕刻設(shè)備包括用功能強(qiáng)大的用戶(hù)友好軟件與模擬圖形用戶(hù)界面，參數(shù)窗口，工藝窗口，數(shù)據(jù)記錄和用戶(hù)管理。

簡(jiǎn)要描述：英國(guó)光柵刻蝕三螺旋平行板天線(xiàn)(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具...

日本傾斜角RIE等離子蝕刻機(jī)的簡(jiǎn)介：日本傾斜角刻蝕代表了直接置片等離子刻蝕機(jī)家族，它結(jié)合了RIE的平行板電極設(shè)計(jì)和直接置片的成本效益設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。Etchlab2...

簡(jiǎn)要描述：進(jìn)口深硅刻蝕：三螺旋平行板天線(xiàn)(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它...

簡(jiǎn)要描述：便攜式樣品傳送腔體沉積系統(tǒng)是一種專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于在超高真空環(huán)境中傳送和處理樣品的設(shè)備。這種設(shè)備通常包括一個(gè)或多個(gè)關(guān)鍵組成部分，如連接真空計(jì)的接口、反射式光...

簡(jiǎn)要描述：4/6英寸輻射式樣品臺(tái)系統(tǒng)“可能指的是一種用于實(shí)驗(yàn)或研究的設(shè)備或組件，特別是在材料科學(xué)、物理學(xué)、工程學(xué)或其他需要精確控制和分析樣品的環(huán)境中的設(shè)備。

簡(jiǎn)要描述：插拔式加熱器沉積系統(tǒng)是一種方便、實(shí)用的加熱設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和商業(yè)領(lǐng)域。這種加熱器通常具有緊湊的設(shè)計(jì)，可以方便地插入到電源插座中，提供快速、高效...

簡(jiǎn)要描述：脈沖激光沉積樣品臺(tái)是一種物理氣相沉積技術(shù)，用于在襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的薄膜。脈沖激光沉積系統(tǒng)中的樣品臺(tái)是一個(gè)關(guān)鍵組件，用于支撐和加熱待沉積的樣品。

簡(jiǎn)要描述：脈沖激光沉積靶臺(tái)的設(shè)計(jì)和應(yīng)用對(duì)于脈沖激光沉積系統(tǒng)的性能和實(shí)驗(yàn)結(jié)果具有重要影響。通過(guò)綜合考慮穩(wěn)定性、熱隔離、靈活性、靶材均勻性、冷卻機(jī)制以及靶材旋轉(zhuǎn)等因...

簡(jiǎn)要描述：脈沖激光沉積系統(tǒng)激光光路是一個(gè)高度復(fù)雜和精密的系統(tǒng)，需要各個(gè)部分的緊密配合和精確控制，才能制備出高質(zhì)量的薄膜。同時(shí)，隨著科技的發(fā)展，脈沖激光沉積技術(shù)也...

簡(jiǎn)要描述：?jiǎn)吻惑w脈沖激光沉積系統(tǒng)是一種的材料制備技術(shù)，它利用脈沖激光的高能量密度來(lái)蒸發(fā)和電離靶材上的物質(zhì)，并在基底上沉積形成各種物質(zhì)薄膜。這種系統(tǒng)通常包括一個(gè)沉...

簡(jiǎn)要描述：雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)（Dual Chamber Pulsed Laser Deposition System）是一種的薄膜制備技術(shù)，它結(jié)合了脈沖激光...

簡(jiǎn)要描述：電漿原子層沉積設(shè)備是一種基于常規(guī)ALD的方法，其利用電漿作為裂化前驅(qū)物材料的條件，而不是僅依靠來(lái)自加熱基板的熱能。

簡(jiǎn)要描述：原子層沉積設(shè)備2為一種氣相化學(xué)沉積技術(shù)。大多數(shù)的ALD反應(yīng)，將使用兩種化學(xué)物質(zhì)稱(chēng)為前驅(qū)物。這些前驅(qū)物以連續(xù)且自限的方式與材料表面進(jìn)行反應(yīng)。

簡(jiǎn)要描述：原子層沉積系統(tǒng)是基于順序使用氣相化學(xué)過(guò)程的最重要技術(shù)之一；它可以被視為一種特殊類(lèi)型的化學(xué)氣相沉積（CVD）。多數(shù)ALD反應(yīng)使用兩種或更多種化學(xué)物質(zhì)（稱(chēng)...