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產品簡介
| 產地類別 | 進口 | 應用領域 | 綜合 |
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CMP設備，即化學機械拋光（Chemical Mechanical Planarization）設備，是一種用于半導體制造、光學元件加工和材料科學領域的高精度表面處理設備。
產品介紹
EBARA荏原 CMP設備 F-REX200M2
EBARA荏原 CMP設備 F-REX200M2
CMP設備，即化學機械拋光（Chemical Mechanical Planarization）設備，是一種用于半導體制造、光學元件加工和材料科學領域的高精度表面處理設備。CMP技術通過化學腐蝕和機械研磨的結合，實現對材料表面的全局平坦化處理，是半導體晶圓制造中的關鍵工藝之一。
工作原理
CMP設備的核心工作原理是利用化學腐蝕和機械研磨的協(xié)同作用，去除材料表面的不平整部分。具體過程如下：
化學作用：拋光液中的化學試劑與材料表面發(fā)生反應，生成一層易于去除的軟化層。
機械作用：拋光墊在壓力下旋轉，通過磨料顆粒的摩擦作用去除軟化層，實現表面平坦化。
清洗與干燥：拋光完成后，通過清洗和干燥步驟去除殘留的拋光液和顆粒，確保表面潔凈。
主要組成部分
拋光頭：用于固定晶圓并施加壓力，確保均勻拋光。
拋光墊：安裝在旋轉平臺上，與晶圓表面接觸并實現研磨。
拋光液輸送系統(tǒng)：用于輸送含有化學試劑和磨料的拋光液。
清洗模塊：用于拋光后晶圓的清洗和干燥。
控制系統(tǒng)：實現設備運行的自動化控制和工藝參數調節(jié)。
應用領域
半導體制造：用于晶圓制造中的多層布線、淺溝槽隔離（STI）和銅互連工藝。
光學元件加工：用于透鏡、棱鏡等光學元件的表面拋光。
材料科學：用于新材料研發(fā)中的表面處理和分析。
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