使用GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si片上蒸鍍Cu,探索設(shè)備蒸鍍膜厚大及小值。
實驗過程:
圖1設(shè)備 圖2蒸發(fā)料
原料:銅段(蒸發(fā)料,銅導線內(nèi)芯),Si基底(酒精超聲清洗30min,后使用去離子水超聲清洗30min,真空烘箱70℃烘干)。使用分子泵抽真空,待真空度到達100時,利用氮氣對腔室進行洗氣三至四次。洗氣結(jié)束,待分子泵抽真空至10-4Torr,開始給爐子加熱,升溫曲線0.6℃/s,升溫至相應(yīng)溫度,玻璃罩出現(xiàn)金屬色后打開擋板蒸鍍。
實驗結(jié)果如下:
目的 | 組別 | 蒸鍍條件 (溫度、時間) | 鍍膜前 | 鍍膜后 | 膜厚 |
薄 | 1 | 1250℃、10s |
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2 | 1200℃、10s |
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3 | 1200℃、3s |
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厚 | 4 | 1200℃、60min |
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5 | 1200℃、30min |
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結(jié)論:
1、GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si基底上鍍Cu,薄(膜厚儀可檢測)可蒸鍍至14.8nm
2、GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si基底上鍍Cu,厚(起皮前)可蒸鍍至37.72μm
特別聲明:
1. 以上所有實驗僅為初步探究,僅供參考。由于我們水平有限,錯誤疏漏之處歡迎指出,我們非常期待您的建議。
2. 歡迎您提出其他實驗思路,我們來驗證。
3. 以上實驗案例及數(shù)據(jù)只針對科晶設(shè)備,不具有普遍性。
4. 因為涉及保密問題,以上數(shù)據(jù)僅為部分數(shù)據(jù),歡迎老師與我們聯(lián)系,我們非常期待和您共同探討設(shè)備的應(yīng)用技術(shù)。
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