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            Idea-Cu薄膜蒸鍍厚度探索

            來源:上海添時科學儀器有限公司   2020年10月28日 13:07  

            使用GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si片上蒸鍍Cu,探索設(shè)備蒸鍍膜厚大及小值。

            實驗過程:

            圖片1.jpg  IMG_20200706_131016.jpg

            1設(shè)備                        圖2蒸發(fā)料

            原料:銅段(蒸發(fā)料,銅導線內(nèi)芯),Si基底(酒精超聲清洗30min,后使用去離子水超聲清洗30min,真空烘箱70℃烘干)。使用分子泵抽真空,待真空度到達100時,利用氮氣對腔室進行洗氣三至四次。洗氣結(jié)束,待分子泵抽真空至10-4Torr,開始給爐子加熱,升溫曲線0.6℃/s,升溫至相應(yīng)溫度,玻璃罩出現(xiàn)金屬色后打開擋板蒸鍍。

            實驗結(jié)果如下

            目的

            組別

            蒸鍍條件

            (溫度、時間)

            鍍膜前

            鍍膜后

            膜厚

            1

            1250、10s

            IMG_20200707_112157.jpg

            2

            120010s

             

             

            IMG_20200707_131347.jpg

             

            3

            1200、3s

             

             

            IMG_20200707_160914.jpg

             

            4

            1200、60min

             

             

            圖片2.jpg

             

            5

            1200、30min

             

             

            圖片3.jpg

             

            結(jié)論

            1、GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si基底上鍍Cu,薄(膜厚儀可檢測)可蒸鍍至14.8nm

            2、GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si基底上鍍Cu,厚(起皮前)可蒸鍍至37.72μm

            特別聲明:

            1. 以上所有實驗僅為初步探究,僅供參考。由于我們水平有限,錯誤疏漏之處歡迎指出,我們非常期待您的建議。

            2. 歡迎您提出其他實驗思路,我們來驗證。

            3. 以上實驗案例及數(shù)據(jù)只針對科晶設(shè)備,不具有普遍性。

            4. 因為涉及保密問題,以上數(shù)據(jù)僅為部分數(shù)據(jù),歡迎老師與我們聯(lián)系,我們非常期待和您共同探討設(shè)備的應(yīng)用技術(shù)。

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