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            基於散射量測技術(shù)的CD測量-臨界尺寸及輪廓測量

            來源:上海江文國際貿(mào)易有限公司   2012年09月05日 12:27  

            設(shè)計(jì)專欄, IC設(shè)計(jì), 測試專欄, 質(zhì)量保証, 生產(chǎn)專欄, 表面黏著技術(shù)
            上網(wǎng)時(shí)間:20030128

            這篇技術(shù)文章討論了幾何尺寸如何突破0.1μm臨界值以及特徵輪廓測量如何成為控制蝕刻製程的關(guān)鍵因素。

            半導(dǎo)體元件特徵尺寸的不斷減小推動(dòng)著先進(jìn)測量方法的發(fā)展。當(dāng)幾何尺寸低於0.1μm臨界值時(shí),特徵輪廓測量成為控制光刻及蝕刻製程的關(guān)鍵因素,它有助於提高量產(chǎn)的良率。

            傳統(tǒng)CD測量方法已接近先進(jìn)半導(dǎo)體元件解析度的有效極限,如臨界尺寸掃描電子顯微鏡(CD-SEM)和基於影像的傳統(tǒng)光學(xué)方法。由於它們採用自上而下的觀測方法,因此局限性很大,無法提供邊緣及底部的特徵數(shù)據(jù),從而也不能提供不規(guī)則器件的相關(guān)數(shù)據(jù)。雖然特徵數(shù)據(jù)可以藉由SEM橫截面獲得,但這種方法必須離線執(zhí)行,而且費(fèi)時(shí)費(fèi)力,還可能具有破壞性。

            臨界尺寸發(fā)散對(duì)稱法

            為了解決CD-SEM和基於影像的傳統(tǒng)光學(xué)CD方法所面臨的局限性,基於散射測量法(Scatterometry) 的光學(xué)參數(shù)測量法已經(jīng)成為新興的CD測量方法。散射測量法利用反射對(duì)稱法或橢圓對(duì)稱法測量產(chǎn)生的光信號(hào),即測量在透明薄膜上形成的包含對(duì)稱線/間隔陣列的光柵結(jié)構(gòu)。藉由目標(biāo)器件上光反射、衍射及折射的相互作用可從反射信號(hào)中擷取相位及密度資訊,這些資訊可用於採用嚴(yán)格耦合波分析(RCWA)的計(jì)算建模方法重建特徵模式的輪廓。

            現(xiàn)有的散射測量法CD及輪廓測量方法使用了各種光信號(hào)採集法,它們的複雜性不同,檢測故障的能力也不一樣。此外,重構(gòu)CD及輪廓的發(fā)散對(duì)稱法數(shù)據(jù)建模有兩種主要途徑,一種為與解決方案資料庫相結(jié)合的離線建模,另一種為線上即時(shí)直接回歸方案計(jì)算。

            光信號(hào)採集的三種方法廣泛用於散射測量法臨界尺寸CD應(yīng)用中:

            1. 採用普通入射角的反射對(duì)稱法。這種方法將密度與波長相比較。
            2. 2角單波長橢圓對(duì)稱法。這種方法是將密度及相位與入射角的變化作比較。
            3. 採用切線入射角的分光鏡橢圓對(duì)稱法。它將密度和相位與波長作比較

            這三種方法在品質(zhì)和產(chǎn)生光信號(hào)的資訊內(nèi)容上存在顯著區(qū)別。普通入射反射對(duì)稱法支援快速採集數(shù)據(jù),但不提供相位資訊,對(duì)再次進(jìn)入或過切的邊牆輪廓不敏感。變角橢圓對(duì)稱法及分光鏡橢圓法雖然數(shù)據(jù)採集速度慢,但由於入射角近似切線,且信號(hào)中包含的資訊量大,它們能提供更多關(guān)於形狀和輪廓的數(shù)據(jù)。

             

             

             

            重構(gòu)特徵參數(shù)的數(shù)據(jù)建??蓲裼镁€上方式,即採用即時(shí)回歸法尋找方案,也可採用離線方式,將捕獲的頻譜與儲(chǔ)存的方案資料庫進(jìn)行比較。RCWA利用晶圓的光柵結(jié)構(gòu)計(jì)算光的衍射以模擬SE或光柵獨(dú)特結(jié)構(gòu)輪廓、CD、角、薄膜厚度所對(duì)應(yīng)的反射對(duì)稱信號(hào)。由於光信號(hào)中所含資訊量減少了,因此普通入射角反射對(duì)稱法及2θ橢圓對(duì)稱法所使用的RCWA模型的複雜性有所降低。由於分光鏡橢圓對(duì)稱法輸出信號(hào)中資訊量增多,它所使用的RCWA模型變得複雜一些,也可以構(gòu)建更詳細(xì)的輪廓。

            即時(shí)回歸法直到近期才被限制用於普通入射角反射光度法及2θ橢圓光度法信號(hào)的建模。這兩種方法可以進(jìn)行計(jì)算,只需幾秒鐘即可得出結(jié)果,但這只是因?yàn)槠鹗紨?shù)據(jù)內(nèi)容少。這些結(jié)果反過來又進(jìn)行非複雜的結(jié)構(gòu)近似,如矩形和梯形,它們不能提供更詳盡的輪廓資訊,以便在高級(jí)器件的光刻製程中有效地實(shí)現(xiàn)製程控制。

            相反地,與方案資料庫共同使用的離線建模方法卻能進(jìn)行更複雜的計(jì)算,這是因?yàn)樗c測量工具的計(jì)算量並不直接相關(guān)。它將採集的頻譜數(shù)據(jù)與儲(chǔ)存的方案資料庫進(jìn)行比較,資料庫中的每種方案都包含以前計(jì)算的光譜,並涵蓋了製程參數(shù)中各種已知的變化。所獲取數(shù)據(jù)與儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的*匹配被確定為測量結(jié)果。低成本的PC硬體和定製的搜索引擎可在一秒鐘內(nèi)將測量的頻譜與預(yù)先計(jì)算的方案相匹配。

            直到zui近才發(fā)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)*整體性能的方法是將基於離線庫的建模方法與分光計(jì)橢圓光度測量法結(jié)合起來,這樣既具有豐富的數(shù)據(jù)資訊,還能實(shí)現(xiàn)複雜的建模功能,因此可提供高品質(zhì)的CD測量結(jié)果和輪廓形狀資訊。重構(gòu)的輪廓與從截面SEM獲取的圖像*相關(guān)。0.1μm以下的特徵測量精密度達(dá)次奈米級(jí)。但是,當(dāng)條件快速變化時(shí),資料庫產(chǎn)生時(shí)間及參數(shù)化會(huì)使這種方法出現(xiàn)問題。

            突破性散射測量法進(jìn)展

            理想的散射測量法必須將資訊量大的分光計(jì)橢圓光度法與具有複雜輪廓計(jì)算功能的即時(shí)回歸建模方法結(jié)合起來。zui近已經(jīng)推出了具有這種功能的測量系統(tǒng)。它採用突破性的軟體專利算法,用現(xiàn)有的CPU即可承擔(dān)計(jì)算負(fù)荷,性能、速度或輪廓複雜性都不會(huì)受影響,其結(jié)果可在幾秒鐘內(nèi)計(jì)算完成,整個(gè)外形輪廓精密度可達(dá)次奈米級(jí)。

            由於這種新方法允許迅速修改配方,而且新結(jié)構(gòu)的設(shè)置過程也很快,因此它可作為獨(dú)立使用工程及製程開發(fā)或晶圓/混合製造環(huán)境的光測量平臺(tái)。對(duì)於整合測量產(chǎn)品而言,成本是其重要因素,基於庫的分光計(jì)橢圓光度法能以合理的成本實(shí)現(xiàn)所需的速度及精密度

             

             

             

             

             

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            應(yīng)用

            在淺溝隔離及波紋整合應(yīng)用中,製程變化可能會(huì)造成凹角、溝槽、T型頂及其它異常形狀,這些問題將會(huì)在後續(xù)製程中引起沈積薄膜空缺及破裂。在一些關(guān)鍵的閘極製程中,異常問題還會(huì)導(dǎo)致減產(chǎn),如過切、微槽和凹槽。在這些應(yīng)用場合下,光刻法及蝕刻製程工程師們需要提供完整而精確外形資訊的CD測量工具,而不是簡單地作矩形或梯形近似。

            在過去兩年中,先進(jìn)的半導(dǎo)體器件製造商們已經(jīng)將基於SE工具及離線資料庫的建模方法用於門開發(fā)檢測(DI)及zui終檢測(FI) CD領(lǐng)域。這種具有即時(shí)回歸建模的SE新工具已經(jīng)成功地証明了其性能在這些領(lǐng)域及STI和波紋槽溝等應(yīng)用中是接近的。

            小結(jié)

            高級(jí)半導(dǎo)體器件的特徵尺寸向0.1μm技術(shù)發(fā)展,傳統(tǒng)CD測量工具不能為工程師們提供實(shí)現(xiàn)有效製程控制及產(chǎn)量管理所需的詳盡輪廓資訊。本文介紹了一種完整的散射測量方案,它將即時(shí)建模與基於庫的建模方法結(jié)合起來,可實(shí)現(xiàn)晶圓製造所需的高性能CD散射測量功能。

            Andrew H. Shih
            Therma-Wave Inc.
            twi-info@thermawave.com


            此文章源自《電子工程專輯》: http://www.eettaiwan.com/article_content.php3?article_id=8800297684

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