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2021
09-03切磨拋系統(tǒng)制備生物塑化標本、軟硬組織聯(lián)合切片
切磨拋系統(tǒng)制備生物塑化標本、軟硬組織聯(lián)合切片科晶醫(yī)學材料切磨拋系統(tǒng)所含設(shè)備：本套系統(tǒng)主要應(yīng)用于使用常規(guī)制樣方法無法制備成組織學切片的組織標本，該系統(tǒng)通過切割即可獲得毫米級的薄片狀組織學切片，再經(jīng)過取材固定及脫水處理后用光固化樹脂浸透、包埋，再行切片、磨片、拋光、染色等步驟制成厚約10μm的醫(yī)學組織薄片，最后在光學顯微鏡下進行組織觀察及診斷。因此，該套系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于口腔、骨科、腫瘤以及整形外科等醫(yī)學研究領(lǐng)域：如骨科軟硬組織聯(lián)合切片，植入物觀察等；切割鮮活組織和包埋后的股骨組織、髖關(guān)節(jié)組織，帶植入物2021
09-022021
09-01經(jīng)典實驗-薄膜/極片-濺射儀鍍膜-機械泵回油檢測
經(jīng)典實驗-薄膜/極片-濺射儀鍍膜-機械泵回油檢測報告實驗名稱:濺射儀鍍膜-機械泵回油檢測報告實驗目的：實驗室分別以機械泵、機械泵加冷阱、愛德華分子泵對濺射腔體進行抽真空并濺射金膜，并且每組做兩個樣品進行對比，檢測三種情況下金膜質(zhì)量。（由客戶反饋科晶實驗室濺射儀做掃描電鏡鍍金效果差，實驗室分別準備了兩組對比試驗與客戶鍍金樣品進行對比，并參考對比結(jié)果進行了兩組探究試驗，詳細內(nèi)容及結(jié)論請參考以下：）實驗設(shè)備：磁控濺射儀VTC-16-SM、機械泵TRP-12、氬氣、金靶、冰塊及冷阱、愛德華分子泵。對比案2021
08-312021
08-302021
08-272021
08-252021
08-242021
08-23金剛石線切割機、研磨拋光機對壓電陶瓷的切割、研磨、拋 光工藝 壓電效應(yīng)
金剛石線切割機、研磨拋光機對壓電陶瓷的切割、研磨、拋光工藝壓電效應(yīng)某些材料在機械應(yīng)力作用下，引起內(nèi)部正負電荷中心相對位移而發(fā)生極化，導致材料兩端表面出現(xiàn)符號相反的束縛電荷的現(xiàn)象，稱為壓電效應(yīng)。反之，當這類材料在外電場作用下，其內(nèi)部正負電荷中心移位，又可導致材料發(fā)生機械變形，形變的大小與電場強度成正比。具有這種性能的陶瓷稱為壓電陶瓷，它的表面電荷的密度與所受的機械應(yīng)力成正比。vv壓電陶瓷作為壓電陶瓷的原材料，在晶體結(jié)構(gòu)上一定是不具有對稱中心的晶體，如氧化鉛、氧化鋯、氧化鈦、碳酸鋇、氧化鈮、氧化鎂、2021
08-20旋轉(zhuǎn)涂膜機在半導體光刻工藝中的應(yīng)用
旋轉(zhuǎn)涂膜機在半導體光刻工藝中的應(yīng)用半導體光刻工藝過程要在潔凈室中進行，且潔凈室的等級要達到半導體光刻工藝的要求。光刻的目的是將掩膜版的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠，再通過刻蝕將光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面。光刻工藝的基本過程：涂膠：涂膠時選用沈陽科晶自動化設(shè)備有限公司制造的VTC-100PA-UV紫外光旋轉(zhuǎn)涂膜機將光刻膠均勻的涂在硅片表面，膜厚度與旋轉(zhuǎn)速度的平方根成反比。前烘：涂膜后使用HT-150型精密烤膠機對硅片進行前期烘烤，去除膠內(nèi)的溶劑，從而提高膠體在硅片表面的粘附力，提高膠體薄膜的抗機械摩擦能力，并2021
08-182021
08-17用 STX-100QX 金剛石曲線切割機切割炭纖維復合材料及玻璃
用STX-100QX金剛石曲線切割機切割炭纖維復合材料及玻璃STX-100QX金剛石曲線切割機形貌如圖一所示：圖一金剛石曲線切割機形貌圖由科晶設(shè)計研發(fā)的金剛石曲線切割機，是我公司*使用金剛石線對非金屬及金屬材料進行曲線切割的設(shè)備。該設(shè)備可通過編程設(shè)置切割形狀，然后金剛石線按程序所設(shè)置的路徑行走，從而切割出各種不同的形狀。該設(shè)備有效解決了一些難加工材料曲線切割的難題，如陶瓷材料、晶體材料、紅外光學材料（如硒化鋅、硫化鋅、硅、鍺等晶體）、熱電材料（如碲化鉍，碲化鉛、硅鍺合金等）、玻璃、巖樣、玉石、P2021
08-162021
08-13檸檬酸對聚合物前驅(qū)體法制備 WO3 薄膜光電性質(zhì)的影響
檸檬酸對聚合物前驅(qū)體法制備WO3薄膜光電性質(zhì)的影響摘要：以偏鎢酸銨為鎢源，檸檬酸為絡(luò)合劑，聚乙二醇（PEG）為聚合物合成前驅(qū)體溶膠，并用浸漬提拉法在FTO導電玻璃上制備了WO3薄膜，研究配位劑檸檬酸對聚合物前驅(qū)體法制備WO3薄膜結(jié)構(gòu)和光電性質(zhì)的影響。采用X線衍射、拉曼光譜和場發(fā)射掃描電鏡等手段研究薄膜的相組成及表面形貌，借助標準三電極體系進行了光電化學測試，并進一步討論了檸檬酸對WO3薄膜光電性能影響機理。結(jié)果表明：CA和W摩爾比為0，0.5，1.0和2.0條件下薄膜表面顆粒平均尺寸分別為60，2021
08-122021
08-11真空鍍膜技術(shù)的原理在各大行業(yè)里的應(yīng)用
1、真空鍍膜機PVD是英文PhysicalVaporDeposition的縮寫，中文意思是“物理氣相沉積”，是指在真空條件下，用物理的方法使材料沉積在被鍍工件上的薄膜制備技術(shù)。2、真空鍍膜機PVD鍍膜和PVD鍍膜機PVD(物理氣相沉積)鍍膜技術(shù)主要分為三類，真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍和真空離子鍍膜。對應(yīng)于PVD技術(shù)的三個分類，相應(yīng)的真空鍍膜設(shè)備也就有真空蒸發(fā)鍍膜機、真空濺射鍍膜機和真空離子鍍膜機這三種。近十多年來，真空離子鍍膜技術(shù)的發(fā)展是zui快的，它已經(jīng)成為當今的表面處理方式之一。我們通常所說的2021
08-102021
08-092021
08-062021
08-05掃一掃訪問手機商鋪
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