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            邁可諾技術(shù)有限公司

            主營產(chǎn)品: 美國Laurell勻膠機,WS1000濕法刻蝕機,Cargille光學凝膠,EDC-650顯影機,NOVASCAN紫外臭氧清洗機

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            聯(lián)系電話

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            您現(xiàn)在的位置: 邁可諾技術(shù)有限公司>>橢偏儀>> SE200/SE300/SE350/SE500光譜橢偏儀 DUV-VIS-NIR

            公司信息

            聯(lián)人:
            鄧經(jīng)理
            話:
            4008800298
            機:
            13681069478
            真:
            址:
            洪山區(qū)珞獅南路147號未來城A棟
            編:
            化:
            www.mycro.net.cn
            網(wǎng)址:
            www.mycro.cn
            鋪:
            http://apwanrong.com/st119375/
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            SE200/SE300/SE350/SE500光譜橢偏儀 DUV-VIS-NIR
            光譜橢偏儀 DUV-VIS-NIR
            參考價 面議
            具體成交價以合同協(xié)議為準
            • 型號 SE200/SE300/SE350/SE500
            • 品牌 其他品牌
            • 廠商性質(zhì) 代理商
            • 所在地 北京市

            更新時間:2024-05-17 08:06:25瀏覽次數(shù):1290

            聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!

            【簡單介紹】
            產(chǎn)地類別 進口 應(yīng)用領(lǐng)域 電子
            光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長范圍。DUV范圍可用于測量超薄膜,如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常僅為約1至2nm厚。當用戶需要測量許多材料的帶隙時,深紫外光譜橢偏儀也是*的。可見或近紅外范圍用于測量相對厚或非常厚的涂層。
            【詳細說明】

            光譜橢偏儀可配置從DUVNIR的波長范圍。DUV范圍可用于測量超薄膜,如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常僅為約12nm厚。當用戶需要測量許多材料的帶隙時,深紫外光譜橢偏儀也是*的??梢娀蚪t外范圍用于測量相對厚或非常厚的涂層。當然,如果必須確定光學常數(shù),則應(yīng)將工具的波長范圍配置為該范圍。其他配置,如波長分辨率,角度范圍等,將根據(jù)所需的應(yīng)用進行考慮。

             

            光譜橢偏儀特征:

            •基于Window軟件,易于操作;

            •*光學設(shè)計,實現(xiàn)系統(tǒng)性能;

            •高功率DUV-VIS-NIR光源,適用于寬帶應(yīng)用;

            •基于陣列的探測器系統(tǒng),確??焖贉y量;

            •用戶可以根據(jù)需要定義任意數(shù)量的圖層;

            •能夠用于實時或在線厚度,折射率監(jiān)測;

            •系統(tǒng)配有全面的光學常數(shù)數(shù)據(jù)庫;

            •高級TFProbe 3.3.X軟件允許用戶對每個膠片使用NK表,色散或有效介質(zhì)近似(EMA);

            •三種不同的用戶級別控制:工程師模式,系統(tǒng)服務(wù)模式和簡易用戶模式;

            •靈活的工程模式,適用于各種配方設(shè)置和光學模型測試;

            •強大的一鍵式按鈕解決方案,用于快速和常規(guī)測量;

            •可按照用戶偏好配置測量參數(shù),操作簡便;

            •系統(tǒng)全自動校準和初始化;

            •直接從樣品信號獲得精確的樣品對齊接口,無需外部光學元件;

            •精確的高度和傾斜程度調(diào)整;

            •適用于許多不同類型的不同厚度的基材;

            •各種選項,附件可用于特殊配置,如繪圖階段,波長擴展,焦點等;

            2D3D輸出圖形以及用戶數(shù)據(jù)管理界面;

             

            光譜橢偏儀應(yīng)用:

            •半導體制造(PR,氧化物,氮化物......

            •液晶顯示器(ITO,PRCell gap ......

            •法醫(yī)學,生物學材料

            •油墨,礦物學,顏料,調(diào)色劑

            •制藥,醫(yī)療器械

            •光學涂層,TiO2,SiO2Ta2O5 ......

            •半導體化合物

            MEMS / MOEMS中的功能薄膜

            •無定形,納米和硅晶圓

            •太陽能電池薄膜,CdTe,CdSCIGS,AZO,CZTS ....

            光譜橢偏儀技術(shù)參數(shù):

                        型號 SE200 (DUV-Vis)  SE300 (Vis)  SE450 (Vis-Nir) SE500 (DUV-Vis-Nir)
            探測器類型CCDCMOS陣列CCDCMOS陣列CCDCMOSInGaAs陣列CCDCMOSInGaAs陣列
            波長范圍(nm19011003701100370-1700190-1700
            波長點測量波長范圍和波長數(shù)據(jù)點均在用戶配方中自定義(數(shù)據(jù)點僅受分辨率限制)
            波長分辨率0.01 -3nm0.01 -3nm0.013nm0.013nm
            數(shù)據(jù)采集??時間100毫秒到10秒,用戶自定義
            入射角范圍2090

             



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