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| 測量速度 | 2min | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 膜厚測量準(zhǔn)確度 | <0.2%nm | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 石油,電子/電池,綜合 |
Bruker 橢偏儀 FilmTek 2000M TSV
——用于半導(dǎo)體封裝應(yīng)用中高通量測量的先進(jìn)計(jì)量系統(tǒng)
FilmTek™ 2000M TSV計(jì)量系統(tǒng)為先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝應(yīng)用提供了速度和精度組合。該系統(tǒng)為各種封裝工藝和相關(guān)結(jié)構(gòu)的高通量測量提供了測量性能和精度，包括表征抗蝕劑厚度、硅通孔（TSV）、銅柱、凸塊和再分布層（RDL）。
高產(chǎn)量TSV制造需要快速、高精度測量TSV蝕刻深度和深度均勻性。FilmTek 2000M TSV系統(tǒng)采用了我們光學(xué)方法，基于正入射反射法，使用戶能夠高效、準(zhǔn)確地測量高深寬比TSV結(jié)構(gòu)的蝕刻深度。該系統(tǒng)可以容易地確定直徑大于1µm的通孔結(jié)構(gòu)的蝕刻深度，最大蝕刻深度可達(dá)500µm。
此外，我們低功率物鏡光學(xué)設(shè)計(jì)使FilmTek 2000M TSV能夠?qū)崿F(xiàn)非常小的光點(diǎn)尺寸-與目標(biāo)通孔結(jié)構(gòu)的直徑相同數(shù)量級-具有幾乎準(zhǔn)直的測量光束。例如，該系統(tǒng)可以配置為，10倍物鏡在y和x維度上的測量點(diǎn)尺寸分別為5µm乘10µm。這種光學(xué)設(shè)計(jì)限制了收集光的角光譜，并最大限度地提高了高縱橫比TSV或溝槽結(jié)構(gòu)的光譜反射的相干性。因此，與使用高功率物鏡的計(jì)量儀器相比，該系統(tǒng)可以提供更清晰的數(shù)據(jù)。
其他功能包括測量微泵、溝槽和各種其他結(jié)構(gòu)和應(yīng)用的高度或深度、臨界尺寸和膜厚度。
測量能力
允許確定：
·直徑大于1µm的通孔結(jié)構(gòu)的TSV蝕刻深度，最大蝕刻深度為500µm。
·高度或深度
·臨界尺寸
·膜厚
系統(tǒng)組件
標(biāo)準(zhǔn)：
·高縱橫比TSV結(jié)構(gòu)的測量
·測量敢達(dá)500µm的TSV蝕刻深度
·測量直徑小于1µm的TSV結(jié)構(gòu)
·FilmTek技術(shù)
·快速測量時(shí)間（每點(diǎn)約1秒）
·單一工具中的TSV蝕刻深度、凸塊高度、臨界尺寸和膜厚計(jì)量
·盒式到盒式晶片處理
·Brooks或SCI自動(dòng)化
·300mm，F(xiàn)OUP和SMIF兼容
·SECS/GEM
典型應(yīng)用領(lǐng)域包括：
·TSV計(jì)量
·先進(jìn)半導(dǎo)體封裝
·具有靈活的軟件，可以輕松修改以滿足研發(fā)和生產(chǎn)環(huán)境中的客戶需求。
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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