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| 產(chǎn)地類別 | 進口 | 光斑尺寸 | 50 μmmm |
|---|---|---|---|
| 光譜范圍 | 190 nm - 1700 nmnm | 膜厚測量準確度 | <0.2%nm |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 石油,電子/電池,綜合 |
Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE
——用于幾乎所有先進薄膜或產(chǎn)品晶片測量的先進多模計量
FilmTek™ 2000標準桿數(shù)-SE光譜橢圓偏振儀/多角度反射儀系統(tǒng)結(jié)合了專有的FilmTek技術(shù)，為從研發(fā)到生產(chǎn)的幾乎所有先進薄膜測量應(yīng)用提供了業(yè)界精度、精度和多功能性。其標準的小點測量尺寸和模式識別能力使該系統(tǒng)成為表征圖案化薄膜和產(chǎn)品晶片的理想選擇。
作為我們組合計量產(chǎn)品線（“標準桿數(shù)-SE"）的一部分，F(xiàn)ilmTek 2000標準桿數(shù)-SE能夠地滿足主流應(yīng)用所需的平均厚度、分辨率和光譜范圍之外的測量要求，并由標準儀器提供。
它在超薄到薄膜（特別是多層堆疊中的薄膜）上提供了異常精確和可重復(fù)的厚度和折射率測量。此外，與傳統(tǒng)的橢偏儀和反射儀相比，該系統(tǒng)對這些樣品中的不均勻性更加敏感。這是FilmTek 2000標準桿數(shù)-SE多模設(shè)計的結(jié)果，該多模設(shè)計將基于高性能旋轉(zhuǎn)補償器的光譜橢圓偏振儀與我們的多角度差分偏振測量（MADP）和差分功率譜密度（DPSD）技術(shù)、擴展/寬光譜范圍DUV多角度偏振反射儀、我們拋物面鏡光學(xué)設(shè)計相結(jié)合，以及先進的Filmtek軟件。
允許同時確定：
·多層厚度
·折射率[n（λ）]
·消光（吸收）系數(shù)[k（λ）]
·能帶隙
·成分（例如，SiGex中的Ge百分比、GaxIn1-xAs中的Ga百分比、AlxGa1-xAs中的Al百分比等）
·表面粗糙度
·組分，空隙率
·結(jié)晶度/非晶化（例如多晶硅或GeSbTe薄膜）
·薄膜梯度
系統(tǒng)組件：
| 標準： | 可選： |
| 旋轉(zhuǎn)補償器設(shè)計的橢圓偏振光譜法（295nm-1700nm） 多角度偏振光譜反射（190nm-1700nm） 獨立測量薄膜厚度和折射率 多角度差分偏振（MADP）技術(shù)與SCI的差分功率譜密度（DPSD）技術(shù) 非常適合測量超薄薄膜（天然氧化物的重復(fù)性為0.03?） 用于成像測量位置的攝像機 模式識別 50微米光斑尺寸 高級材料建模軟件 具有高級全局優(yōu)化算法的Bruker廣義材料模型 | 各向異性測量（nx、ny、nz）的廣義橢圓偏振法（4×4矩陣泛化法） 盒式到盒式晶片處理 FOUP和SMIF兼容 模式識別（Cognex） SECS/GEM |
Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE典型應(yīng)用領(lǐng)域：
幾乎所有厚度從小于1?到約150µm的半透明膜都可以高精度測量。典型應(yīng)用領(lǐng)域包括：
硅半導(dǎo)體
復(fù)合半導(dǎo)體
LED/OLED
具有靈活的硬件和軟件，可以輕松修改以滿足客戶需求，特別是在研發(fā)和生產(chǎn)環(huán)境中。
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