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            目錄:上海明策電子科技有限公司>>測(cè)溫儀>>半導(dǎo)體&薄膜測(cè)溫>> UV400 GaN基外延片測(cè)溫儀

            UV400 GaN基外延片測(cè)溫儀
            • UV400 GaN基外延片測(cè)溫儀
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            參考價(jià) 面議
            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
            參考價(jià) 面議
            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
            • 品牌 Advanced Energy/優(yōu)儀
            • 型號(hào)
            • 廠商性質(zhì) 代理商
            • 所在地 上海市
            屬性

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            >

            更新時(shí)間:2025-01-14 10:42:22瀏覽次數(shù):1059評(píng)價(jià)

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            UV400 GaN基外延片測(cè)溫儀用于GaN基外延的晶圓表面溫度和反射率真實(shí)測(cè)量,溫度范圍650…1300℃

            UV400 GaN基外延片測(cè)溫儀詳細(xì)說明

            UV 400的前身TR 2100是*采用集成反射計(jì)(2001年)的高溫計(jì),為使用光纖鏡頭和950 nm激光實(shí)時(shí)測(cè)量發(fā)射率建立了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)寶石光管傳感器和實(shí)時(shí)的黑體校準(zhǔn)源取得的研究進(jìn)展提供了完整的溫度測(cè)量解決方案。

            UV 400和UVR 400系統(tǒng)是專門為GaN基MOCVD外延工藝開發(fā)的下一代溫度傳感器。這些傳感器可以直接測(cè)量晶圓表面溫度,而非傳統(tǒng)的基座溫度。UVR 400較UV 400 增加了一個(gè)635 nm,0.5 kHz測(cè)量速度的反射率測(cè)量?jī)x,可測(cè)量沉積厚度.

            這些系統(tǒng)正在為 LED 生產(chǎn)過程設(shè)定一個(gè)新的標(biāo)準(zhǔn),其結(jié)果顯示工藝溫度和終產(chǎn)品波長(zhǎng)之間存在可靠的相關(guān)性.這種直接測(cè)量的方法可以更精確地控制晶片溫度,從而提高成品率

            主要特點(diǎn)

            • 使用紫外波段直接測(cè)量GaN層溫度;

            • 使用脈沖光源實(shí)時(shí)快速測(cè)量發(fā)射率;

            • 使用真正的光計(jì)數(shù)儀器將測(cè)量中的噪聲降至低;

            • 防止由于延遲采樣(無快門打開和關(guān)閉)而造成的數(shù)據(jù)偏差

            • 測(cè)溫范圍:650 至 1300℃

            • 重復(fù)精度 0.01 °C (see TN-828)


            典型應(yīng)用

            • GaN 基 MOCVD 外延工藝


            技術(shù)指標(biāo)

            測(cè)量參數(shù)

            溫度范圍:

            650 至 1300°C

            子溫度區(qū)間:

            溫度范圍內(nèi)任意可調(diào),小跨度 51°C

            響應(yīng)波長(zhǎng):

            383 至 410 nm

            探測(cè)器:

            光電倍增管, 暗計(jì)數(shù)范圍小于原始值的 1% @ 650°C

            兩次測(cè)量之間的等待時(shí)間:

            少于 1 μs

            分辨率:

            軟件顯示0.1℃;
            模擬輸出不超過設(shè)定范圍的 0.025%

            發(fā)射率 ε:

            0.100 至 1.000 調(diào)整步幅 0.001

            透射率 τ:

            0.100 至 1.000 調(diào)整步幅 0.001

            積分時(shí)間;

            少8ms

            測(cè)量不確定度:
            (ε = 1, t90 = 1 s, Thous. = 28°C)

            小于 1000°C, 3°C;
            大于 1000°C, 0.3%;

            重復(fù)性:
            (ε = 1, t90 = 1 s, Thous. = 28°C)
            0.1% 或 0.1°C
            電參數(shù)
            功耗:大5W
            負(fù)載(模擬輸出):0 至 500 ?
            隔離:電源,模擬輸出,數(shù)字接口彼此隔離
            環(huán)境參數(shù)
            防護(hù)等級(jí):IP 40  IEC 60529
            真空和氣體:設(shè)備可承受氮?dú)夂驼婵眨ǖ陀?0 mbar),外殼有氣孔
            安裝位置:任意
            環(huán)境溫度:10 至 38 °C
            存儲(chǔ)溫度:-20 至 50 °C
            相對(duì)濕度:非凝露
            重量:2.5 kg
            外殼:發(fā)黑氧化鋁
            CE 認(rèn)證:根據(jù)歐盟有關(guān)電磁抗擾度的指令
            接口

            模擬輸出:

            0 到 20 mA 或 4 到 20 mA, 線性

            數(shù)字輸出:RS485可尋址(半雙工)
            波特率:1200 至 38400
            大值存儲(chǔ):內(nèi)置單存儲(chǔ)器或雙存儲(chǔ)器
            tclear 可調(diào)(off; 0.01 s; 0.05 s; 0.25 s; 1 s; 5 s; 25 s),
            反射率測(cè)試(僅 UVR400)
            測(cè)試范圍:0 至 100%
            速率:1000 Hz
            光源:激光二極管
            測(cè)量波長(zhǎng)635 nm ±5 nm
            測(cè)量不確定度:測(cè)量范圍的 2%
            重復(fù)精度:測(cè)量范圍的 5%
            晶圓片允許傾斜公差:0.3°
            鏡頭工作距離 a:100mm
            模擬輸出:0到20 mA 或 4到20 mA ;可切換
            負(fù)載:0 到 500 Ohm

            UV400 GaN基外延片測(cè)溫儀




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