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            目錄:北京精科智創(chuàng)科技發(fā)展有限公司>>材料制樣設(shè)備>>快速退火爐>> HTR-4立式4寸快速退火爐

            HTR-4立式4寸快速退火爐
            • HTR-4立式4寸快速退火爐
            參考價 9999
            訂貨量 ≥1
            具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
            9999
            ≥1
            具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
            • 品牌 Microtrac/拜爾
            • 型號
            • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
            • 所在地 北京市
            屬性

            >

            更新時間:2025-02-12 16:44:26瀏覽次數(shù):1127評價

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            HTR-4立式4寸快速退火爐(芯片熱處理設(shè)備)廣泛應(yīng)用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導(dǎo)體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn),和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長、消除應(yīng)力和致密化等工藝當(dāng)中,通過快速熱處理以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能,技術(shù)指標(biāo)高、工藝復(fù)雜、專用性強(qiáng)。

            HTR-4立式4寸快速退火爐

             

                                                          

            快速退火爐.jpg


             

            HTR-4立式4寸快速退火爐(芯片熱處理設(shè)備)廣泛應(yīng)用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導(dǎo)體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn),和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長、消除應(yīng)力和致密化等工藝當(dāng)中,通過快速熱處理以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能,技術(shù)指標(biāo)高、工藝復(fù)雜、專用性強(qiáng)。

            主要應(yīng)用領(lǐng)域:

            1.快速熱處理(RTP),快速退火(RTA),快速熱氧化(RTO),快速熱氮化(RTN);

            2.離子注入/接觸退火;

            3.金屬合金;

            4.熱氧化處理;

            5.化合物合金(砷化鎵、氮化物等);

            6.多晶硅退火;

            7.太陽能電池片退火;

            8.高溫退火;

            9.高溫擴(kuò)散。

            產(chǎn)品特點:

            ·         可測大尺寸樣品:可測單晶片樣品的尺寸為4英寸。

            ·         壓力控制系統(tǒng)創(chuàng)新設(shè)計:高精度控制壓力,以滿足不同的工藝要求。

            ·         存儲熱處理工藝:方便工藝參數(shù)調(diào)取,提高實驗效率,數(shù)據(jù)可查詢。

            ·         快速控溫與高真空:升溫速率可達(dá)150/s,真空度可達(dá)到10-5Pa

            ·         程序設(shè)定與氣路擴(kuò)展:可實現(xiàn)不同溫度段的控制,進(jìn)行降溫段的自動轉(zhuǎn)接,并能夠?qū)に嚥藛芜M(jìn)行保存,方便調(diào)用。采用MFC控制氣體流量,實現(xiàn)不同氣氛環(huán)境(真空、氮氣等)下的熱處理。

            ·         腔體空間設(shè)計:保證大尺寸樣品的溫場均勻性 ≤1%

            ·         全自動智能控制:采用全自動智能控制,包括溫度、時間、氣體流量、真空、冷卻水等均可實現(xiàn)自動控制。

            ·         超高安全系數(shù):采用爐門安全溫度開啟保護(hù)、溫控器開啟權(quán)限保護(hù)以及設(shè)備急停安全保護(hù)三重安全措施,保障設(shè)備使用安全。

            ·          

            ·         主要技術(shù)參數(shù):

            最大樣品尺寸

            4英寸(直徑100mm

            控溫范圍

            RT~1200

            升溫速率(max

            150/s

            高溫段降溫速率(max

            1200/min

            控溫精度

            ±0.5

            溫場均勻性

            ≤1% 

            氣體流量

            標(biāo)配1MFC控制(氮氣)可擴(kuò)展至4

            壓力控制

            ~1bar,±100Pa

            工藝條件

            支持真空、氧化、還原、惰性氣體等工藝氣氛,一鍵設(shè)置通過軟件控制真空及通氣時間

            ·          


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