芯片環(huán)境制樣艙 參考價(jià)：面議
可在艙內(nèi)鼓入水蒸氣，使得芯片注液（水溶液）時(shí)艙內(nèi)達(dá)到飽和蒸氣壓，也可配合向艙內(nèi)通入惰性氣體如氮?dú)狻鍤獾缺Ｗo(hù)氣，提高芯片注液成功率，提高實(shí)驗(yàn)效率。芯片環(huán)境制樣倉...
多孔氮化硅TEM載網(wǎng) 參考價(jià)：250
多孔氮化硅TEM載網(wǎng)，以高純單晶硅為基底，超薄氮化硅(10-50nm)為支撐膜，可實(shí)現(xiàn)原子級(jí)分辨率。
掃描電鏡高溫力學(xué)原位系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
掃描電鏡高溫力學(xué)原位系統(tǒng)通過MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建力、熱復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反 饋測(cè)量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EBSD等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí) 時(shí)、動(dòng)態(tài)...
掃描電鏡高溫原位系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
掃描電鏡高溫原位系統(tǒng)通過MEMS芯片對(duì)樣品施加熱場(chǎng)控制，在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建熱場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EBSD等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米甚至原子層面...
掃描電鏡液體電化學(xué)原位系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
掃描電鏡液體電化學(xué)原位系統(tǒng)通過MEMS芯片對(duì)薄層或納米電池系統(tǒng)施加電信號(hào)等，結(jié)合EDS等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)電極、電解液及其界面在工況下的...
原位冷凍樣品桿 參考價(jià)：面議
透射電鏡4孔樣品桿可將最多4個(gè)樣品同時(shí)置入透射電鏡中，與市面常見的3孔樣品桿相比，大幅提高透射電鏡的使用效率。全新的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及超高精度的旋鈕換樣方式，幫助降低漂...
高真空存桿儀 參考價(jià)：面議
CHIPNOVA高真空存桿儀的極限真空度為10-6hPa，最多可同時(shí)為6根TEM樣品桿提供高真空存儲(chǔ)環(huán)境，避免暴露在空氣中吸附濕氣及納米纖維等雜質(zhì)，減少樣品桿進(jìn)...
透射電鏡全角度三維重構(gòu)樣品桿 參考價(jià)：面議
透射電鏡全角度三維重構(gòu)樣品桿在搭載直徑3 mm銅網(wǎng)的傳統(tǒng)三維重構(gòu)樣品臺(tái)的基礎(chǔ)上延伸，采用彈頭的單軸旋轉(zhuǎn)方式進(jìn)行繞樣品臺(tái)全角度360°觀察，可以接受棒狀...
透射電鏡4孔樣品桿 參考價(jià)：面議
透射電鏡4孔樣品桿可將最多4個(gè)樣品同時(shí)置入透射電鏡中，與市面常見的3孔樣品桿相比，大幅提高透射電鏡的使用效率。全新的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及超高精度的旋鈕換樣方式，幫助降低漂...
透射電鏡三維重構(gòu)樣品桿 參考價(jià)：面議
透射電鏡三維重構(gòu)樣品桿通過一系列的不同傾斜角獲得樣品的二維成像信息,并對(duì)其進(jìn)行處理轉(zhuǎn)化為三維信息，該樣品臺(tái)可直接組裝直徑3 mm的銅網(wǎng)樣品，不僅可進(jìn)行樣品的三維...
透射電鏡高傾角冷凍傳輸系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
透射電鏡高傾角冷凍傳輸系統(tǒng)以創(chuàng)新設(shè)計(jì)及加工工藝，在TEM內(nèi)搭建液氮冷凍模塊，可在超低溫條件下觀察樣品原位相變等關(guān)鍵信息?？蓽p少樣品污染和電子束損傷，減少熱效應(yīng)，...
掃描電鏡高溫原位系統(tǒng)-基礎(chǔ)版 參考價(jià)：面議
掃描電鏡加熱原位系統(tǒng)通過MEMS芯片對(duì)樣品施加熱場(chǎng)控制，在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建熱場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EBSD等多種測(cè)試模式，實(shí)現(xiàn)從納米甚至原子層面...
掃描電鏡液體熱電原位系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
掃描電鏡液體熱電原位系統(tǒng)采用MEMS微加工工藝在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建液氛納米實(shí)驗(yàn)室，通過MEMS芯片對(duì)薄層或納米電池系統(tǒng)施加熱場(chǎng)和電信號(hào)等，結(jié)合使用EDS等多種不同...
透射電鏡雙傾探針電學(xué)原位系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
透射電鏡雙傾探針電學(xué)原位系統(tǒng)通過納米探針對(duì)樣品施加電場(chǎng)控制，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品...
透射電鏡力電原位系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
透射電鏡力電原位系統(tǒng)通過MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建力、電復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，...
透射電鏡高溫力電原位系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
透射電鏡高溫力電原位系統(tǒng)通過MEMS芯片對(duì)樣品施加力學(xué)、電場(chǎng)、熱場(chǎng)控制，在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建力、電、熱復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EELS、SAE...
透射電鏡高傾角熱電原位系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
透射電鏡高傾角熱電原位系統(tǒng)通過MEMS芯片對(duì)樣品施加熱場(chǎng)、電場(chǎng)控制，在高傾角樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建熱電復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng)，結(jié)合使用EDS、EELS、SAED、...
透射電鏡雙傾光熱原位系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
透射電鏡雙傾光熱原位系統(tǒng)通過MEMS芯片和光纖引入的光源在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建熱、光復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、ST...
透射電鏡液體電化學(xué)原位系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
透射電鏡液體電化學(xué)原位系統(tǒng)通過MEMS芯片對(duì)液體薄層或納米電池系統(tǒng)施加電信號(hào)等，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米甚...
透射電鏡氣體高溫原位系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
透射電鏡氣體高溫原位系統(tǒng)通過MEMS芯片對(duì)樣品施加熱場(chǎng)控制，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米甚至原子層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)...
透射電鏡高溫力學(xué)原位系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
透射電鏡高溫力學(xué)原位系統(tǒng)通過MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建力、熱復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模...
掃描電鏡電制冷版冷凍系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
掃描電鏡電制冷版冷凍系統(tǒng)是在標(biāo)準(zhǔn)樣品臺(tái)的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)冷凍模塊、PID溫控模塊及冷卻循環(huán)模塊，無需改造電鏡，在掃描電鏡內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品冷凍，大大減緩了樣品水分的蒸發(fā)，使...
透射電鏡雙傾熱電原位系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
透射電鏡雙傾熱電原位系統(tǒng)通過MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建熱、電復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模...
透射電鏡液體升溫原位系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
透射電鏡液體升溫原位系統(tǒng)采用MEMS微加工工藝在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建液氛納米實(shí)驗(yàn)室，通過MEMS芯片加熱，結(jié)合使用EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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