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            薄膜/涂層殘余應(yīng)力儀

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            • 薄膜/涂層殘余應(yīng)力儀
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            更新時(shí)間:2024/07/04 15:44:34瀏覽次數(shù):2171

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            產(chǎn)品簡介

            應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,生物產(chǎn)業(yè),農(nóng)林牧漁,能源
            薄膜/涂層殘余應(yīng)力儀(kSA MOS Coating Stress tester)采用非接觸MOS激光技術(shù);不但可以對(duì)樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析;并且這種設(shè)計(jì)始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描,從而有效的避免了外界振動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響;同時(shí)提高了測(cè)試的分辨率;適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析;

            詳細(xì)介紹

            薄膜/涂層殘余應(yīng)力儀同樣采用多光束MOS技術(shù),可裝在各種真空沉積設(shè)備上(如:MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects),對(duì)于薄膜生長過程中的應(yīng)力變化進(jìn)行實(shí)時(shí)原位測(cè)量和二維成像分析;


             *薄膜熱應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)(kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester)


            薄膜/涂層殘余應(yīng)力儀

            技術(shù)參數(shù):
            kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System,kSA MOS Film Stress Mapping System;
            1.XY雙向程序控制掃描平臺(tái)掃描范圍:300mm (XY)(可選);
            2.XY雙向掃描速度:up to 
            20mm/s;

            3.XY雙向掃描平臺(tái)掃描小步進(jìn)/分辨率:2 μm ;
            4.樣品holder兼容:50mm, 75mm, 100mm, 150mm, 200mm, and 300mm直徑樣品;
            5.程序化控制掃描模式:選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全樣品掃描;
            6.成像功能:樣品表面2D曲率、應(yīng)力成像,及3D成像分析;
            7.測(cè)量功能:曲率、曲率半徑、應(yīng)力強(qiáng)度、應(yīng)力、Bow和翹曲等;


            主要特點(diǎn):
            1.程序化控制掃描模式:單點(diǎn)掃描、選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全樣品掃描;
            2.成像功能:樣品表面2D曲率成像,定量薄膜應(yīng)力2D成像分析;
            3.測(cè)量功能:薄膜應(yīng)力、翹曲、曲率半徑等;
            4.支持變溫?zé)釕?yīng)力測(cè)量功能,溫度范圍-65C to 1000C
            5.薄膜殘余應(yīng)力測(cè)量;


            涂層應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)(kSA MOS Coating Stress tester)采用非接觸MOS激光技術(shù);不但可以對(duì)樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析;并且這種設(shè)計(jì)始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描,從而有效的避免了外界振動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響;同時(shí)提高了測(cè)試的分辨率;適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析;


            典型用戶:Harvard University 2套,Stanford University,Johns Hopkins University,Brown University 2套,Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute,西安交通大學(xué),中國計(jì)量科學(xué)研究院等、半導(dǎo)體和微電子制造商(如IBM.,Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC,Nissan ARC,Nichia Glass Corporation)等;


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