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            目錄:賽默飛電子顯微鏡>>透射電子顯微鏡(TEM)>> 200 kV場發(fā)射透射電鏡 Talos F200i TEM

            200 kV場發(fā)射透射電鏡 Talos F200i TEM
            • 200 kV場發(fā)射透射電鏡 Talos F200i TEM
            參考價 面議
            具體成交價以合同協(xié)議為準
            參考價 面議
            具體成交價以合同協(xié)議為準
            • 品牌 FEI/賽默飛
            • 型號
            • 廠商性質 生產(chǎn)商
            • 所在地 上海市
            屬性

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            >

            更新時間:2024-08-28 13:49:43瀏覽次數(shù):958評價

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            價格區(qū)間 面議 儀器種類 熱場發(fā)射
            應用領域 環(huán)保,化工
            200 kV場發(fā)射透射電鏡 Talos F200i TEM
            4k × 4k Ceta CMOS 攝像機及其大視野使得可以在整個高張力范圍內以高靈敏度和高速進行實時數(shù)字縮放。

            200 kV場發(fā)射透射電鏡 Talos F200i TEM

            用于高通量、高分辨率化學表征和動態(tài)觀察的 TEM 和 STEM 分析

            主要特點

            可搭配眾多高分辨率場發(fā)射槍 (FEG)

            選擇 X-FEG、高亮度 X-FEG 或超高亮度冷場發(fā)射槍 (X-CFEG)。X-CFEG 將 (S)/TEM 成像及能量分辨率相結合。

            可搭配雙 EDS 技術

            從單個 30 mm2 檢測器到用于高通量(或低劑量)分析的雙 100 mm2 檢測器中,選擇您需求的 EDS 檢測器。

            高質量 STEM/TEM 圖像和準確的 EDS

            創(chuàng)新且直觀的 Velox 軟件用戶界面非常簡單,從而輕松獲得高質量的 TEM 或 STEM 圖像。Velox 軟件中的 EDS 吸收校正功能可實現(xiàn)最準確的定量。

            的原位功能

            添加斷層掃描或原位樣品架。快速攝像機、智能軟件和我們的寬 X-TWIN 物鏡間隙可在盡可能不降低分辨率和分析功能的情況下實現(xiàn) 3D 成像和原位采集。

            200 kV場發(fā)射透射電鏡 Talos F200i TEM提高了生產(chǎn)率

            超穩(wěn)定的色譜柱、借助 SmartCam 的遠程操作和恒定功率物鏡,可進行快速模式和高電壓 (HT) 切換。多用戶環(huán)境的快速輕松切換。

            可重復性最高的數(shù)據(jù)

            所有日常 TEM 調整、例如聚焦、共心高度、電子束移位、冷凝器光闌、電子束傾斜樞軸點和旋轉中心都是自動進行的,確保您始終從最佳成像條件開始工作。實驗可重現(xiàn),使您可以專注于研究,而不是工具。

            高速提供大視野成像

            4k × 4k Ceta CMOS 攝像機及其大視野使得可以在整個高張力范圍內以高靈敏度和高速進行實時數(shù)字縮放。

            緊湊型設計

            更小的占地面積和尺寸有助于在更具挑戰(zhàn)性的空間中使用此工具,同時降低基礎設施和支持成本。


            性能數(shù)據(jù)

            TEM
            • 線分辨率: ≤0.10 nm

            操作 系統(tǒng)XX 單元
            • 控制器:Windows® 10

            • 遠程控制:是

            真空系統(tǒng)
            • 氣鎖抽氣:無油和無振動

            • 冷阱:標準

            • 長時間杜瓦瓶:可選配 - 至少 4 天待機時間(重新補充之間)

            STEM 成像
            • STEM 分辨率: ?

              • ≤0.16 nm (S-FEG/X-FEG)

              • ≤0.14 nm ,100pA (X-CFEG)

            • 檢測器: HAADF 和/或同軸 Panther BF/DF

            能量色散 X 射線光譜 (EDS)
            • 檢測器尺寸 (Bruker X-flash):30、100 或 雙 100 mm2

            • 可伸縮: 是,電動

            電子能量損失光譜 (EELS)
            • ≤0.8 eV (S-FEG/X-FEG)

            • ≤0.3 eV (X-CFEG)

            槍亮度 200 kV
            • 4×108 A /cm2 srad (S-FEG)

            • 1.8×109 A /cm2 srad (X-FEG)

            • 2.4×109 A /cm2 srad (X-CFEG)



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