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            products

            目錄:光焱科技股份有限公司>>EQE/光子-電子轉(zhuǎn)換測(cè)試>>損耗缺陷分析>> LSD4雷射掃描缺陷圖譜儀

            雷射掃描缺陷圖譜儀
            • 雷射掃描缺陷圖譜儀
            參考價(jià) 面議
            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
            參考價(jià) 面議
            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
            • 品牌 Enlitech
            • 型號(hào) LSD4
            • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
            • 所在地 高雄市
            屬性

            產(chǎn)地類別:進(jìn)口 應(yīng)用領(lǐng)域:能源

            >

            更新時(shí)間:2025-03-14 11:49:44瀏覽次數(shù):2067評(píng)價(jià)

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            產(chǎn)地類別 進(jìn)口 應(yīng)用領(lǐng)域 能源
            價(jià)格區(qū)間 面議 測(cè)量模式 咨詢光焱科技專家
            激光掃描缺陷成像儀是激光束感應(yīng)電流(LBIC)測(cè)試的升級(jí)版本。它利用波長(zhǎng)能量大于半導(dǎo)體帶隙的激光束照射半導(dǎo)體,產(chǎn)生電子空穴對(duì)。通過(guò)快速掃描樣品表面,獲得揭示內(nèi)部電流變化的圖像分布,從而分析各種缺陷分布。這有助于分析樣品制備的質(zhì)量并有助于工藝改進(jìn)。

            產(chǎn)品介紹


            4 分鐘內(nèi)掌握全貌,以 50 微米分辨率掃描 100 毫米 x 100 毫米區(qū)域


              掃描缺陷成像儀是激光束感應(yīng)電流(LBIC)測(cè)試的升級(jí)版本。 它利用波長(zhǎng)能量大于半導(dǎo)體能隙的激光光束照射半導(dǎo)體,產(chǎn)生電子-電洞對(duì)。 透過(guò)快速掃描樣品表面,獲得揭示內(nèi)部電流變化的影像分布,以分析各種缺陷分布。 這有助于分析樣品制備的質(zhì)量,并有助于制程改進(jìn)。

            特征


            掃描光生電流的分布

            掃描光電壓分布

            掃描開(kāi)路電壓和短路電流的分布

            分析表面污染

            分析短路區(qū)域的 分布

            識(shí)別和分析微裂紋區(qū)域

            分析少數(shù)載子擴(kuò)散長(zhǎng)度的分布(選用功能)


            應(yīng)用

            雷射掃描缺陷圖譜儀

            硅太陽(yáng)能電池光電流分布(405 納米)

            雷射掃描缺陷圖譜儀雷射掃描缺陷圖譜儀

            6 英寸硅晶太陽(yáng)能電池掃描(17 秒)

            雷射掃描缺陷圖譜儀

            鈣鈦礦太陽(yáng)能電池

            雷射掃描缺陷圖譜儀    

            LSD4-OPV光響應(yīng)電流分布圖

            雷射掃描缺陷圖譜儀

            LSD4-OPV光響應(yīng)電流分布圖

            雷射掃描缺陷圖譜儀

            分辨率為 50 µm 的非均勻性分析


            雷射掃描缺陷圖譜儀

            母線/柵極縱橫比檢測(cè)(橫截面分析)

            雷射掃描缺陷圖譜儀

                 雷射掃描缺陷圖譜儀            雷射掃描缺陷圖譜儀

            高重復(fù)性(6次重復(fù))


            規(guī)格

            項(xiàng)目參數(shù)說(shuō)明。
            功能A。利用能量高于半導(dǎo)體帶隙的波長(zhǎng)激光束在半導(dǎo)體中產(chǎn)生電子空穴對(duì),探索耗盡區(qū)對(duì)內(nèi)部電流變化的影響,了解和分析各種缺陷分布,作為工藝改進(jìn)的方向。

            b.能夠掃描樣品表面光生電流的分布。

            C。能夠掃描樣品表面光電壓的分布。

            d.能夠掃描開(kāi)路電壓和短路電流的分布。

            e.能夠分析表面污染。

            F。能夠分析短路區(qū)域的分布。

            G。能夠識(shí)別和分析微裂紋區(qū)域。

            H。能夠分析少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的分布(可選)。
            激勵(lì)源
            405 ±10nm 激光
            520 ±10nm 激光
            635 ±10nm 激光
            830 ±10nm 激光
            掃描區(qū)域≧100mm×100mm
            激光光斑尺寸接近TEM00模式點(diǎn)
            測(cè)繪分辨率
            A。掃描分辨率 ≤ 50 µm
            b.掃描分辨率可通過(guò)軟件設(shè)置
            測(cè)繪時(shí)間<4分鐘(100mm×100mm,分辨率50um)
            方面60厘米*60厘米*100厘米
            軟件A。 LBIC 3D 可視化
            b. 2D 橫截面分析(電極縱橫比)
            c.光電流響應(yīng)分布分析(與長(zhǎng)波長(zhǎng)激光源結(jié)合)
            d.?dāng)?shù)據(jù)保存和導(dǎo)出功能









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