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            原子層沉積設(shè)備

            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
            • 公司名稱 北京瑞科中儀科技有限公司
            • 品牌 其他品牌
            • 型號(hào)
            • 產(chǎn)地
            • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
            • 更新時(shí)間 2024/7/10 13:50:19
            • 訪問(wèn)次數(shù) 1896

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            北京瑞科中儀科技有限公司專注半導(dǎo)體材料研究分析設(shè)備的研發(fā)和應(yīng)用。專業(yè)的團(tuán)隊(duì),專精的服務(wù),提供理想的解決方案。

            我們長(zhǎng)期專注于半導(dǎo)體材料研究與分析設(shè)備的經(jīng)銷和代理,為高校、企業(yè)科研工作者提供專業(yè)的分析解決方案。以專業(yè)技能為導(dǎo)向,用科技來(lái)解決用戶在科研中遇到的難題。專業(yè)的技術(shù)工程師和科研工作者進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)演示和技術(shù)交流,打消顧慮,彼此協(xié)作,為我國(guó)的科研領(lǐng)域譜寫新篇章。

            北京瑞科中儀科技有限公司長(zhǎng)期代理銷售供應(yīng)多種分子材料的研究分析設(shè)備,其中包括但不限于掃描電子顯微鏡、感應(yīng)耦合等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)、離子束刻蝕機(jī)、等離子清洗機(jī)、物理氣相沉積系統(tǒng)以及各品牌的光學(xué)顯微鏡以及實(shí)驗(yàn)室設(shè)備儀器。

            客戶至上的服務(wù)理念,以人為本的企業(yè)文化,我們始終為用戶提供專業(yè)的服務(wù)!

            合作丨共贏,選擇我們,選擇未來(lái)!

             

            半導(dǎo)體材料分析,材料刻蝕

            應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,化工,電子

            原子層沉積設(shè)備(ALD)為一種氣相化學(xué)沉積技術(shù)。大多數(shù)的ALD反應(yīng),將使用兩種化學(xué)物質(zhì)稱為前驅(qū)物。這些前驅(qū)物以連續(xù)且自限的方式與材料表面進(jìn)行反應(yīng)。通過(guò)ALD循環(huán)的次數(shù),緩慢的沉積薄膜。而熱沉積式的ALD需要較高的製程溫度(傳統(tǒng)為150~350oC)。

            SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制ALD的製程,薄膜的厚度和均勻度皆小於+/- 1%。

            厚度均勻度(WIW):

            原子層沉積設(shè)備單個(gè)12英寸晶圓用於沉積目標(biāo)厚度為5nm的Al2O3和HfO2膜。使用橢偏儀進(jìn)行27點(diǎn)厚度測(cè)量並輸入標(biāo)準(zhǔn)偏差公式。在±0.5nm範(fàn)圍內(nèi)和均勻度的5%以內(nèi)。 image.png

            介電常數(shù)和功函數(shù):

            準(zhǔn)備三個(gè)矽晶片,並以固定的厚度沉積Al2O3/ TiN和化學(xué)氧化物/ HfO2/ TiN。測(cè)量三個(gè)樣品的CV圖以計(jì)算介電常數(shù)和洩漏電流:介電常數(shù)應(yīng)為7?9(Al2O3)和18?22(HfO2),並且洩漏電流小於1 nA(@ 1V)。

            image.png

            原子層沉積設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域腔體
            • 高k值之氧化物。

            • OLED和矽太陽(yáng)能電池的鈍化層。

            • 微機(jī)電系統(tǒng)。

            • 納米電子學(xué)。

            • 納米孔結(jié)構(gòu)薄膜。

            • 光學(xué)薄膜。

            • 薄膜封裝技術(shù)。

            • 鋁腔或者不銹鋼腔體,其佔(zhàn)地面積小,可縮短製程時(shí)間。

            • 通過(guò)使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來(lái)控制腔體溫度。



            配置和優(yōu)點(diǎn)選件
            • 客製化的基板尺寸,最大直徑可達(dá)300mm晶圓。

            • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±1%。

            • 較高的深寬比和複雜結(jié)構(gòu)具有相同特性之薄膜沉積。

            • 薄膜具有高緻密性。

            • 前驅(qū)物材料可多達(dá)6種並可分別加熱到200°C。

            • 快速脈衝的氣體輸送閥,反應(yīng)時(shí)間為10毫秒。

            • 通過(guò)穩(wěn)定的溫度控制,將基板載臺(tái)加熱到400°C。

            • 材料:Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2, TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。

            • 可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手套箱整合在一起。

            • 橢圓偏振光譜儀。

            • 高真空傳送系統(tǒng)。







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