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            金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備

            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
            • 公司名稱(chēng) 北京瑞科中儀科技有限公司
            • 品牌 其他品牌
            • 型號(hào)
            • 產(chǎn)地
            • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷(xiāo)商
            • 更新時(shí)間 2024/7/10 13:22:07
            • 訪問(wèn)次數(shù) 561

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            北京瑞科中儀科技有限公司專(zhuān)注半導(dǎo)體材料研究分析設(shè)備的研發(fā)和應(yīng)用。專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì),專(zhuān)精的服務(wù),提供理想的解決方案。

            我們長(zhǎng)期專(zhuān)注于半導(dǎo)體材料研究與分析設(shè)備的經(jīng)銷(xiāo)和代理,為高校、企業(yè)科研工作者提供專(zhuān)業(yè)的分析解決方案。以專(zhuān)業(yè)技能為導(dǎo)向,用科技來(lái)解決用戶在科研中遇到的難題。專(zhuān)業(yè)的技術(shù)工程師和科研工作者進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)演示和技術(shù)交流,打消顧慮,彼此協(xié)作,為我國(guó)的科研領(lǐng)域譜寫(xiě)新篇章。

            北京瑞科中儀科技有限公司長(zhǎng)期代理銷(xiāo)售供應(yīng)多種分子材料的研究分析設(shè)備,其中包括但不限于掃描電子顯微鏡、感應(yīng)耦合等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)、離子束刻蝕機(jī)、等離子清洗機(jī)、物理氣相沉積系統(tǒng)以及各品牌的光學(xué)顯微鏡以及實(shí)驗(yàn)室設(shè)備儀器。

            客戶至上的服務(wù)理念,以人為本的企業(yè)文化,我們始終為用戶提供專(zhuān)業(yè)的服務(wù)!

            合作丨共贏,選擇我們,選擇未來(lái)!

             

            半導(dǎo)體材料分析,材料刻蝕

            應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,化工,電子

            金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備

            熱蒸發(fā)是物理氣相沉積(PVD)中常用方法,也是PVD簡(jiǎn)單的形式之一。使用電加熱的蒸發(fā)源可用於沉積大多數(shù)的有機(jī)和無(wú)機(jī)薄膜,其中以電阻式加熱法最為常見(jiàn)的。這些蒸發(fā)源的優(yōu)點(diǎn)為它們可以提供一種簡(jiǎn)單的薄膜沉積方法,以電流通過(guò)其容納材料的舟為方式,從而加熱材料。當(dāng)沉積材料的蒸氣壓超過(guò)真空室的溫度時(shí),材料將開(kāi)始蒸發(fā)並沉積到基板上。

            SYSKEY金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備的熱蒸發(fā)可以精準(zhǔn)的控制蒸發(fā)速度,且薄膜的厚度和均勻度小於+/- 3%。

            離子源可用於基板清潔和加速材料的蒸發(fā)速度,並且離子源在材料沉積過(guò)程中可幫助沉積並使沉積後的薄膜更為緻密。

            image.png

            應(yīng)用領(lǐng)域腔體
            • 金屬材料研究。

            • 奈米薄膜。

            • 太陽(yáng)能電池。

             

            • 客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸

              和其應(yīng)用。

            • 寬大的前開(kāi)式門(mén),並有兩個(gè)視窗和

              視窗遮版用於觀察基材和蒸發(fā)源。

            • 腔體的極限真空度約為10-8 Torr。

            配置和優(yōu)點(diǎn)選件
            • 客製化的基板尺寸,最大直徑為12寸

              晶圓或470 x 370 mm2(玻璃)

            • 寬大的前開(kāi)式門(mén),並有兩個(gè)視窗和

              視窗遮版用於觀察基材和蒸發(fā)源

            • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3%。

            • 具有順序操作或共沉積的多個(gè)蒸發(fā)源。

            • 基板可加熱到800°C。

            • 利用載臺(tái)旋轉(zhuǎn)來(lái)改善薄膜沉積之品質(zhì)。

            • 基板至蒸發(fā)源之間距為可調(diào)式的

            • 每個(gè)蒸發(fā)源和基材均有安裝遮板。

            • 可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手套

              箱整合在一起。

            • 結(jié)合離子源、濺鍍槍、電子束、

              等離子清潔...。

            • 基板冷卻

            • 殘留氣體分析儀。




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